lm5050MK-1做并联N+1电源时没有工作。

按照lm5050手册中的典型应用电路，搭了一下，想验证一下功能。电路如图，负载为1K电阻和led灯串联，OFF管腿接地，其他按照下图连接，左侧5V电源供电，芯片从OUT一侧取电，负载led被点亮，但测得GATE和IN管腿的电压也就是MOSFET的Vgs是-0.2V的电平，MOS管没有打开，而MOSFET的Vsd为0.5V左右，应该只有体二极管在导通，不知道问题出在哪里。后来换了12V的DC电源也是这样。如果MOSFET没有被打开，lm5050的作用就不能发挥，就不能检测到反向电流而关断MOSFET了，那这里的MOSFET就只能相当于一个二极管了，与二极管并联的电源冗余结构还有什么区别。想问问为什么lm5050没有正常工作。

亲；OFF脚啥电压？

OFF脚接地了。

亲；你的MOSFET是啥规格？

IRF3205Z，N沟道，导通电阻20毫欧，Vgs在4V以上就可以工作。

datasheet是这个。难道是这个MOSFET的原因？我单独拿这个MOSFET做实验了，栅源电压5V，用一个电源供电，漏源电压5V，用跟另一个电源供电，负载没变，这时候MOSFET正常工作的。led被点亮。电路就是简单的栅源接一路5V，源极串1K电阻，led，在漏极和led两端接另外一个5V电源接。就是要看看这个MOSFET在5V能不能正常导通。此时的MOSFET电流为漏向源。lm5050应用中MOSFET是源向漏的，这点上两种应用不同。

我自己实测了MOSFET。栅源接5V电源，漏、源、1K电阻、led、另一个5V电源形成负载侧的输出回路。这时电流从漏到源。此时MOSFET正常工作，可以导通。

这里MOSFET的用法与lm5050中的MOSFET用法不一样，是按照常规情况下应用MOSFET的情况适用的，电流从漏极到源极，而lm5050应用中MOSFET的电流是从源到漏。难道是MOS的原因？MOSFET型号为IRF3250Z。datasheet貌似发不上去。

问题大概出在焊接上了。本人焊接技术太差，可能焊接时烙铁温度过高，长时间高温下芯片被烧坏了。所以以后一定要注意焊接操作。

亲；建议把你的实验电路拍个照片看看。

亲，你的问题解决了吗？我也出现了相似的问题，可否说下你的解决措施？

已经忘了当时怎么做的了，太久远了。但是5050这个芯片的电源供电需要从in这一侧取（虽然数据手册上说芯片电源连接哪边都可以，但实测只有从经过MOSFET之前的电源给芯片供电才能起到冗余的作用）。你可以做下实验。

您的这个问题后来解决了吗？我现在的问题是，有些电源供电时，LM5050-1工作很正常，驱动极电压比输入电压高多，但是有些电源供电时又不行，驱动电压只有1.2V，导致MOSFET源漏极的压差有0.5V左右，时好时坏，貌似LM5050-1还挑供电电源。

原本我选的是LM5050-2，PCB也是按照LM5050-2画的，采购买成了LM5050-1，所以就飞线测了，也不知道是不是这引起的，还是买的片子有问题。

VS我接的输出端，我再试试接输入端会怎么样。

换到输入端，不行的还是不行。

没有明白你描述的问题，我的板子一直放着没做，做其他东西去了，但在自己搭的测试电路上用是好的。正常情况下MOSFET完全导通的，压降很小0.1V都不到。当母线电源大于某一路的电压时，这一路的MOSFET关断，Vgs是接近0V，加上在体二极管上的电压是反向，能够将这一路断开。

电路框图见附件！

主要是测试当电流从DC/DC流向锂电池组时，LM5050-1能驱动MOSFET开通，将Vsd的压降减小到27mV左右，当锂电池电压高于DC/DC输出电压时，能起到防反灌的作用。

实际测试过程中，用了几个不同的DC/DC，同一个LM5050-1的性能不一样。就是前面说的，有的DC/DC供电时，LM5050-1驱动效果很好，在电流为3A时，MOSFET的Vsd压差只有25mV，驱动端的电压与输入电压的压差达到了11V，但是，有的DC/DC供电时，同一个LM5050-1驱动效果就变很差了，驱动端的电压与输入电压的压差只有1.2V左右，3A时，MOSFET的Vsd压差达到了0.5V。

有的DC/DC供电时，在轻负载，零点几安时，驱动效果还好，MOSFET的Vsd压差25mV，但是到0.5A时，驱动又不行了，只有2A左右，反正MOSFET是没有完全开通，MOSFET的Vsd压差从180mV到500mV不等。

这个情况很是奇怪，这么简单的电路居然这么多问题。

1.这个问题是挺怪异的。你用锂电池做负载会不会好些？用一个二极管做防倒灌不行吗？非要用这个芯片？

2.额外说一句，你的5050的地接的是DCDC输入端的地，两边共地了就没有隔离效果了，你的应用如果需要35V和Vo隔离，这样接法有问题。如果不需要隔离当我没说。