有负载时，FB引脚电压无法达到REF电压，这是啥原因会引起。。。LM3102-Q
有负载时，FB引脚电压无法达到REF电压，这是啥原因会引起。。。LM3102-Q
datasheet REF=0.8V ，测试结果： 有负载时 VFB=0.75V 空载时 VFB=0.8V
问题详述：
用的LM3102芯片，原理是一个COT控制电路。
固定导通时间控制是基于比较器和单次启动定时器，具体而言是输
出电压反馈(馈到FB引脚)与内部0.8V的参考电压进行比较。如果FB
脚电压低于参考电压，上管MOSFET就会导通一段固定的时间，这
段时间是由编程电阻RON和与导通时间成反向变化关系的输入电压
VIN共同决定的。导通后，主MOSFET保持一定的关闭时间,最短为
260ns。然后，如果FB脚电压低于参考电压，上管MOSFET就会在
另一个导通周期内再次导通。开关会继续实现调节。
稳压器在低负载时会工作在不连续传导模式(DCM)，在高负载时则
工作在连续传导模式(CCM)。在不连续传导模式中，经过电感器的
电流从零开始，在导通时间内升至峰值，然后在关断时间结束之前
下降到零。此后它保持为零，负载电流全部由输出电容器提供。当
FB引脚电压低于内部参考值时下一次导通开始。与不连续传导模式
相比，不连续传导模式中的工作频率更低，随负载电流的变化也更
大。不过转换效率保持不变，因为传导损耗和开关损耗会分别随着
负载和开关频率的降低而减小。
电路原理图如下：
空载时FB=VREF=0.8V，电压输出正常，设置为15V。下图为BST上电压。表现为间歇性的。
SW上的图形 （这个1KHz频率由谁决定的？）
空载 VFB电压波形
加负载以后（此时Vout=14V/1.4A,设计Vout 15V），VFB=0.75V。
测的SS引脚电压3.9V 说明芯片没有进入热保护状态。VCC电压5.77V（标称6V）。
LM3102 这个芯片内部是COT控制电路，好像不存在环路滤波的说法。目前设置RON，使开关频率约200KHz左右
调节 C19（补偿FB电容，在DCM模式降低输出纹波,推荐值10nF），RON的值似乎对于结果有一些很小影响。但不知道具体原因。
改变CSS 10nF->30nF VFB并未改变。
满载 SW 波形
满载时候，BST上电压（也是矩形脉冲，不像空载那样是间歇性质的。我觉得空载的时候应该是DCM模式，而现在接负载后为CCM模式）
满载时候，VFB上电压 （有毛刺） 0.75V
再附“
BST-SW的电压（即片外电容C8上的压降），空载时
满载时 BST-SW的电压（即片外电容C8上的压降）
我是按照webench 设计的
电路版图
Hi
FB电压是输出电压分出来的，输出电压偏低，FB电压自然也偏低。
请问你带多大载就开始电压偏低？
Hi
如果你设计时2.5A输出，1.4A输出就出现上述问题，有可能是你的layout造成的，建议你确认一下您的功率回路，建议是尽量的做小，否则是影响待在能力的。
（如果是这样，或者你通过铜线焊接一下，看看回路较小后是否有改善）
Hi
可以将C8稍微放大一点，如果你怀疑是chargepump电容的问题。
另外电感的饱和电流建议测试确认一下（或者你确认没有问题也行）
倾向layout不是特别好导致的noise，如果是这样的输出应该是不稳定的，fb也会对应不稳定，万用表测试值就有可能偏低。
用功率电阻做试验，发现0.1A时，输出电压已经被拉低，为14V，此时VFB=0.75V
附 PCB（四层板，中间两层为GND） 和原理图
将CBST（C8）电容增大一点
C8=33nF
C8=82nF，只是峰峰值有所下降，但有所时间都是方波输出。
对比空载时，空载是间歇性的，
VFB实测0.75V，0.75*（17.8K+1K）/1K=14.1V 与测试输出电压结果相同。 原先测过 此时Vout 纹波在100~200mV,输出稳定，
RON 改变对于Vout输出电压结果影响较大，待我进一步验证。
Ron=2M，（原先Ron<1M欧姆）CBST=150nF
空载 Vout=15V VFB=0.8V
0.1A负载 Vout=16V VFB=0.85V
1.4A负载 Vout=14.54V VFB=0.77V
新的调试结果。RON=1.5M.
空载15V VFB=0.8V
接0.1A负载，14.9V
接0.5A负载，14.4V
接1.4A负载，14.33V VFB=0.76V
从SW端电压和最外接负载输出端，没有电压压降。
理应应该这样，webench
http://webench.ti.com/WebenchReports/WebenchReportsServlet?pid=46&ptype=design&uid=1478504&locale=zh_CN&companyName=TI&wb5_panel_design=1466593118394
更改CFB没有效果。功率电感 降额10% 是1.13A； 降额20% 是1.8A
这怎么办，不知道什么原因引起FB变化？会不会是温度原因？
Hi
如之前所谈，建议功率电感的饱和电流必须大于最大输出电流的1.3倍
帮忙做一个试验，将Ron设置到100kHz, 然后输出设置到5V， 加载看看输出是否偏低？
电感已经更换，额定电流>1.67A
改变ROn 使开关频率为100KHz，Vout设为5V
空载 5..04V VFB=0.801V
50mA 5.15V VFB=0.801V
160mA 5.16V VFB=0.82V
500mA 5.01V VFB=0.795V
710mA 5V VFB=0.8V
==============
还回FB阻值做试验，现在设定VOut=16V（空载）VFB=0.8V
Ron=390K SW f=290KHz
0.5A Vout=14.94V VFB=0.74V
2.5A Vout=14.9V VFB=0.73V
Ron=1.27M SW 90KHz
0.17A Vout=17V VFB=0.84V
0.5A Vout=15.4V VFB=0.76V
2.5A Vout=15.37V VFB=0.76V
0.1~0.2A左右 Vout明显不对，从datasheet来看，有可能片子就是这样的。
上述两组实验只是改变了 RON的值，为啥VFB会发生变化。。。。不理解，
我的设计中Vout=15V 从0.5A~2A 要求电压恒定15V ，若不管空载以及0.1A左右的电压值来看，似乎改变RFB和RON都可以使Vout=15V，而此时VFB为某一个恒定值 如0.76 0.75V左右，反正达不到0.8V
RON对于纹波噪声影响很大，频率<100KHz 噪声200mV，原因是滤波不充分;
当频率在300KHz 噪声为40mV（20MHz带宽滤波器）
更新：
已经设置SW=300KHz （RON=390K） 此时 空载Vout=16.4V，VFB=0.82V； 从0.2A~2A Vout=14.9~15V，VFB=0.74V
Hi
看起来这个芯片确实适合低电压输出。
将Ron设置成为160kohm, 频率700kHz左右，输出15V 看看。
按照你上面的试验，输出5V,100kHz频率时 Ron大约在400kom左右。
我想确认的是Ron尽量用小一些阻值，看看能否将电压做大一些？
输出5V,100kHz频率时 Ron在390kom；
现在，按照要求Ron=160Kohm
空载 Vout=16.16V VFB=0.8V
0.16A Vout=14.76V VFB=0.73V
0.5A Vout=14.72V VFB=0.73V
1.6A Vout=14.68V VFB=0.72V
2.2A Vout=14.72V VFB=0.72V
1.6A 输出端噪声如下,黄色为时域噪声，紫色线为频谱（靠近中间的一根线为700多KHz 开关噪声），跟SW 在300KHz 的噪声性能差不多。
取Ron=1MOhm，这是webench给出的。不懂什么是duty限制。。FSW有个最高频率值，可以往低频走吧
http://webench.ti.com/WebenchReports/WebenchReportsServlet?pid=46&ptype=design&uid=1478504&locale=zh_CN&companyName=TI&wb5_panel_design=1466593118394
Hi
RFB1 and RFB2: These resistors should be chosen from standard values in the range of 1.0 k? to 10 k?, satisfying the following ratio:
RFB1/RFB2 = (VOUT/0.8 V) – 1
将2个电阻都选小一点，看看。
这个电阻选择时很影响FB电压的， 可以试验看看。
LM3102 Webench 仿真是最大输出7V， 如果上述修改仍无法改善，有可能您需要选择别的芯片了。
RFB1/RFB2 = (VOUT/0.8 V) – 1
Vout max =13.75V
还是有点用超电压了，先这样烤机吧。看长期结果
Hi
电阻改小后，FB可以不偏低了吗？
电阻改小以后，FB还是偏低。
取RFB1=10K RFB2=560ohm ,RFB1/RFB2=17.85 对应VOUT=15V
测试结果：
空载 Vout=15.75V, VFB=0.83V
0.15A: Vout=15.26V, VFB=0.75V
0.5A: Vout=14.3V, VFB=0.75V
1.5A:Vout=14.3V, VFB=0.75V
高输出电压时，建议厂商修改VFB值 应该是0.75V
HI
看起来最好选别的芯片，至少会比这个芯片容易做。
Hi
FB电压偏低并非内部基准偏低。
没懂。。
您的意思是layout 造成偏低的？