关于负载开关和分立MOSFETs的问题
时间：10-02
整理：3721RD
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TI的老师你们好，在看TI的一个技术文档的时候，看到这部分有个问题不太明白，想请教一下：
如下图所示：
我想问的是：在P-MOSFET的栅极加上一个电阻之后，为什么输出的上升时间就变大了？
实际MOSFET有寄生电容 Cgs。串联电阻就是减小充电电流，使Cgs上的电压充得更慢一些。
谢谢Jerry Chen 老师的解答，这下明白了原因了。谢谢。