LM5116 模式选择问题

你好，

LM5116芯片手册的第19页这样描述 模式选择

我的理解是 DIODE EMULATION COMPARATOR 会在HO 管教输出低电平的时候判断VSW 与 V DEMB 的电压大小。决定LO 管教是否是输出高电平还是保持关断状态。

手册上描述

               RDEMB = 0Ω    芯片工作在二极管仿真状态。 。。。。P19

              RDEMB = 10K 时，芯片工作在同步模式。

 我的疑惑是：

 当在HO低电平时，电流的流向为

此时

         由于在MOSFET和RS上的压降

                                       VSW < 0

         对于DEMB管教的电压

                         当 RDEMB = 0Ω 

                              VDEMB = 0 V。(由于直接接地)

                         当 RDEMB = 10K

                              V ≈ 0.4V (由于内部的恒流源)

            如果是这样的话，VDEMB无论如何都不可能大于VSW 啊？ 那这又是如何判断模式的呢？

楼主，进入Diode emulation意味着低侧MOSFET不开通，仅仅相当于一个二极管（MOSFET体二极管）。加上一个10k电阻RDEMB之后，DEMB的电压是0.4V，此时电流从二极管续流，SW的电压应该是GND再减去一个体二极管的压降VSD（体二极管压降是从S到D）。那么此时DEMB实际上比SW的电压要高0.4V+VSD，低侧MOSFET会开通，利用MOSFET来续流，实现同步整流。

你好，手册上说 当 RDEMB = 0Ω 的时候 LM5116进入 Diode emulation  模式 ，但 当 RDEMB = 0Ω  SW 的电压为 -VSD < 0  ，而DEMB 得电压为0 ，如果是这样的话，DEMB的电压还是会比 SW 的电压高啊。 此时芯片为什么会进入Diode emulation  模式呢？