求教如何通过MSP430单片机IO口控制电源通断，以及FET管选型？！

想通过MSP430实现对其他设备电源通断控制，由于应用环境为核磁环境，不能使用继电器。电压为24V，电流设计指标1A。

1）开始考虑过通过IO控制具有使能控制的电源芯片，实现外部设备电源的通断控制，觉得有点大材小用，而且器件工作需要一定的压差，所以就没再考虑这个实现途径。

2）如果采用模拟开关控制，这么大的电流恐怕器件也该烧坏了吧？

3）采用达林顿管驱动继电器实现电源通断控制，如前所述，应用环境不允许。

我个人觉得也就只能通过晶体管或者FET进行电源通断控制了，开关电源变换器内部不就是这个道理吗，小弟对于模拟电路研究不够深入，小白一个，

请TI的专家和各位学界牛人帮忙  器件选型，并对430单片机IO口和FET（或晶体管）之间的接口电路设计进行指点。

多谢！

亲；你的应用比较特殊，需要用抗辐射MOSFET和电子驱动。驱动相对比较简单，对你的电压电流，用PVN1050就可以。这是非禁运产品，市场可以买到。MOSFET比较特殊，可以用IRF120的抗辐射版。但这类管子是受限产品，需要证明是非军用目的才可以买到。建议先用普通版本试验，用抗辐射版本做产品。这种抗辐射产品，建议咨询英飞凌北京办事处。

如果不考虑核磁环境，以及高能粒子，就普通应用场合，FET推荐选用哪种呢

PVG612A一颗料即可。这是数据表：http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/pvg612a.pdf

谢谢 ，受益匪浅啊！