bq24133问题求解.N-MOS击穿.

现行谢过路过的各位大拿,彰显你的智慧和热血.

方案BQ24133+SYSTEM1:lt3789(12vbuck-boost电路电流3a)+SYSTEM2(稳压3.3-12v升压80v电路)+(电池11v8.7A)

电池各功能(冲放插拔)正常.

输入电压适配器15v10A

sys输出电压范围，15v 6.4-7A

IC SW脚电压波形也正常.电路为推荐bq24133手册电路.Q1Q2用sisa04N.

问题一:挂电池时正常,没有电池时开机Q1瞬间击穿,GD短路Q1发热烧毁.Q1选型问题?不加SYSTEM2电路正常.适配器用12V10A Q1正常.纹波100mv.适配器用15v10A纹波200Q1瞬间击穿.

问题二:不知道下图用什么仪器测.

换好点管子。MOS热容不够。

谢谢回复,觉得不是啊.正常情况(有电池)温升10c.

呵呵！烧管子的时间；10uS就够了，壳子都不见得能热起来。。。

谢谢大拿耐心指导买SIS862DN  是60vds的

原来30vds.多是20vgs.问题二能指导下?

谢谢

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那是用深储存数字示波器测的。如泰克的DPO3000系列及以上的产品；都可以测到。