TPS40303不明原因损坏，能调试好，就是不明白原理！

TPS40303设计19V转12V电源，webench工具导出的设计方案，使用中上35W负载没问题，换成75W，一上电40303就坏，其他器件完好，试了10片板，都是如此现象，经调试软启动延迟问题解决，但就是不明原理，不敢下料批量，求支招！

亲；带载越重启动电流越大时间越长。软启动能减弱这种不利情况。器件被超额，损坏也说的过去。

谢谢XP，这么晚了还回帖。

我还有几点疑问：1、软启动是缓冲电浪涌冲击，上大负载按理40303会保护，如果要坏也是MOSFET坏，不至于是芯片；2、有FAE说是上电瞬间可能SW负电压过高，我把软启动调试好的板子，电感改成1.5uH，一上电也坏了40303，貌似FAE说的SW负压过高有道理，可我用示波器抓波形，SW始终没超过-5V，完全在范围内；3、也有说是MOFET结电容过大，驱动电流过载整坏的芯片，这个驱动电流我怎么用示波器量测到呢？

你好，软启动可以减小电流冲击，驱动电流过大损坏芯片倒是有些道理，但是也不太正常，你可以在驱动线路上串接小电阻，看有无改善。这个驱动电流可以测驱动电阻的电压，除以电阻即可。第二个SW负压过高，我不太清楚是什么意思，烦请你解释下，谢谢。

您好，坏了的芯片表现是什么？短路？开路？

各个引脚的电压情况怎么样？

只是芯片坏了？MOS管并没有坏？

SW，即40303第8脚定义缩写（有些芯片标注是Phase），按照Datasheet参考如下图，不应该<-5，

坏了芯片，万用表阻抗档量测各引脚，阻抗和好的芯片没什么差别。

en/SS脚，示波器显示是锯齿波。

mos管没坏，软启动延迟能解决。

具体现象就是，上75W负载，一上电就挂了芯片，不到1秒时间。

你好，这里是不应该会出现-5V的情况的，有负压理论上二极管是可以导通的，你的PCB布线怎么样，或者你本身芯片有问题，谢谢。

刚做了个试验，软启动不调整，仅仅把过流保护电阻Rocset调成2.1K（5A限流），40303就不损坏，但输出电压别拉低到8V（设计输出12V）。如果上电瞬间负载电流大于25A（芯片参考设计Iout（max）=25A），而过流保护机制未被启动，那么芯片是否有烧坏的可能，原理是什么？

你好，理论上应该是MOS烧坏，你可以在驱动线路上加一个4.7欧姆的电阻试试看有没有改善，是否还烧坏，谢谢。

inrush spike 导致的， 这么大的电流对布线要求较高，对于高频电流环路，最好能保持尽可能小的环路面积。

可以将soft start 时间延长。

高频电流环路导致芯片坏掉，烦请解释，具体分析过程。芯片坏掉我能理解的可能原因，要么就是静电、要么芯片供电电压过压，而这两点都可以排除了。之前也有调过类似这种模块，高频电流环路引起输出不稳定，最坏的情况就是MOSFET烧坏，所以还请赐教！

你好，小伙伴我理解SW负压太大的道理了，是由于布线问题，震荡会使得SW产生负压，有可能打坏SW pin，谢谢。

带负载越大，有示波器量测到MOS管有同时打开和关闭情况，如MOS管同时关闭，线圈上没有泄放回路，是不是把SW打坏掉？（可是坏掉的芯片，量了阻抗和好的一模一样，为啥？）

另有个问题，关于此芯片TI给的描述参数Iout（max）=25A（如下图标），是指什么？是通过外挂MOS管的最大电流吗？和输入电压有关系吗？

你好，如果同时开通MOS，MOS会烧坏的。

IOUT（max)为输出电压，不准确只是一个大概功率，与芯片的驱动能力有关。

谢谢。

你好，一般芯片打坏，管脚阻抗是会变化，但是就是阻抗不变换，我们也不能确定芯片没坏，具体为什么阻抗没变化，我也说不清楚，谢谢。

Iout（max）=25A，为输出电压，不理解，这个参数是电流呀，是哪儿的电流？

MOS管同时开通，如很短也不一定坏吧，现实使用的情况是，MOS管没坏，都是芯片坏，所以怀疑是不是电感的能量泄放烧坏的，另外，这颗芯片怎么都没测到过流保护起作用（电流超出设定值，芯片应该停止工作吧），而是限流了，把电压拉低了。

你好，不好意思，昨天太困了，打错字了，是输出电流。。。

你好，同时关闭的时间肯定是有的，死区时间，如果怀疑sw脚电压太大太小而打坏，可以试着抓一下启动时的SW波形，看是否有过压情况，和正常工作状态有什么区别。

建议你把限流电阻设大些（限流点设置大一些再试试看），谢谢。

请问你的问题解决了没？ 可以抓取下上电时芯片引脚是否有瞬时过压？或者上传下PCB检查下。谢谢

建议先抓一下High mos Gate，SW，SS以及FB的启动波形，用全带宽，看是否有异常波形。另外可以对比加大SOFT-START后的波形做一下对比。

感谢TI员工的热心帮助。

目前可以确定是因为负载的变化率过快引起，做过带负载测试，发现负载变化越大，SW过冲负压越小（持续时间50ns不到），但还不是很肯定的是这个信号过冲负压引起。因为拿了公版参考版来做也有过冲负压（持续时间也是ns级的）。

奇怪的是从来不烧坏MOS管，在因负载过重芯片来回启动时，有测试到MOS管同时关闭和开通状态。

现在问题已经解决，就是软启动时间延长（电容加到1uF），倍压电路那里串了一个10欧姆电阻。