关于LM3150芯片温度及开关频率设置的问题

你好！
最近在用TI LM3150搭建从+24V到+12V和从+12V到+5V的电源模块，主要是+24V到+12V这部分电路遇到；

+24V到+12V电源模块的需求如下：

1、输入电压范围+19V~+35V，目前用+24V电源适配器做调试；

2、输出+12V/4A；

电路如附件所示，都是用wenbench产生的，但在调试中发现+24V到+12V这部分电路有如下问题：

1、+24V到+12V这路输出接了20欧电子负载，+12V到+5V这路输出接了2.5欧电子负载；开机几十秒钟内，LM3150和MOS管发烫厉害；测量了开关频率在290KHz左右，但波形不稳定，会跳动；而+12V到+5V这部分电路不会发烫，开关频率也是290KHz左右，但波形是稳定不动的。即使我把+5V输出的负载去掉，、+24V到+12V这部分的LM3150也发热厉害；

2、我试着把R26（Ron）加大到531K，发热情况会改善很多，但开关频率还是在290KHz左右，而且波形还是不稳定，会跳动；

请问：为什么修改了Ron的值，开关频率不会改变，而且波形不稳定，但+12V到+5V这部分是稳定的？是否电路上有设计错误的地方？

非常感谢大家的指导！

Hi

       可能芯片已经损坏。空载芯片发热意味着有异常的电流流入芯片了。

      可能的原因与layout有关，建议你检查一下，然后更换芯片再测试。原因是假设您的220uF电容离芯片比较，而芯片Vin处电容没有很靠近而放到MOS处，输入可能存在较高的spike损坏芯片。

      在layout上前端的220uF应该是在连线的接口处，走线到芯片Vin要尽量宽(如果距离很近更加好）， Vin的电容需要尽量靠近芯片Vin脚(4.7~10uF)， 而输入稳压电容要尽量靠近MOS的输入端(建议2~3个10uF电容）。

感谢Johnsin 的回复！

芯片没有空载的，最小的负载是20欧电子负载；

我的设计上有两路电源输出，一路是24V转12V，然后12V在转5V， 12V输出接了20欧的负载，5V输出没有接负载；

目前我的PCB是这样布局的：

LM3150的Vin管脚附近只有0.1uF的陶瓷电容，其他的电容（4个4.7uF的电容+1个0.1uF的电容）放在MOS管附近，而220uF的电容离MOS管和LM3150比较远，中间还隔了磁珠；wenbench软件也没有要求用220uF这么大的电容。

附件是PCB布局情况。

有个疑问，为什么不同的Ron阻值，发热情况不同？

Hi

   无论空载或者带负载，芯片发热意味了有过大的电流流入芯片。

   其实现在并没有出现烧机现象，直接用示波器测试启动瞬间，正常工作，或者关机瞬间的波形，应该可以看到输入电压的异常。

   问题可能出在你的磁珠和0.1uF的Vin电容上，输入可能形成的震荡。

Johnsin，你好！

根据你的建议，我量了Vin处的电压波形，没有发现电压异常或纹波很大的问题；

我也在Cin处和Vin处各增加一个220uF/50V的电容，问题还是一样的；

现有想不明白，为什么我更换了Ron的阻值，开关频率没有改变，始终处于290KHz左右，而且不稳定(unstable)；

还有，是不是跟我的PCB布线有很大关系？

麻烦您继续帮我解答下，谢谢！

Hi

    用22uF陶瓷电容即可。

    有没有更换芯片确认？ 之前提到芯片可能已经损坏？

我更换了芯片，还是一样的，应该不是芯片损坏的问题。