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关于LM3150芯片温度及开关频率设置的问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

你好!
最近在用TI LM3150搭建从+24V到+12V和从+12V到+5V的电源模块,主要是+24V到+12V这部分电路遇到;

+24V到+12V电源模块的需求如下:

1、输入电压范围+19V~+35V,目前用+24V电源适配器做调试;

2、输出+12V/4A;

电路如附件所示,都是用wenbench产生的,但在调试中发现+24V到+12V这部分电路有如下问题:

1、+24V到+12V这路输出接了20欧电子负载,+12V到+5V这路输出接了2.5欧电子负载;开机几十秒钟内,LM3150和MOS管发烫厉害;测量了开关频率在290KHz左右,但波形不稳定,会跳动;而+12V到+5V这部分电路不会发烫,开关频率也是290KHz左右,但波形是稳定不动的。即使我把+5V输出的负载去掉,、+24V到+12V这部分的LM3150也发热厉害;

2、我试着把R26(Ron)加大到531K,发热情况会改善很多,但开关频率还是在290KHz左右,而且波形还是不稳定,会跳动;

请问:为什么修改了Ron的值,开关频率不会改变,而且波形不稳定,但+12V到+5V这部分是稳定的?是否电路上有设计错误的地方?

非常感谢大家的指导!

Hi

       可能芯片已经损坏。空载芯片发热意味着有异常的电流流入芯片了。

      可能的原因与layout有关,建议你检查一下,然后更换芯片再测试。原因是假设您的220uF电容离芯片比较,而芯片Vin处电容没有很靠近而放到MOS处,输入可能存在较高的spike损坏芯片。

      在layout上前端的220uF应该是在连线的接口处,走线到芯片Vin要尽量宽(如果距离很近更加好), Vin的电容需要尽量靠近芯片Vin脚(4.7~10uF), 而输入稳压电容要尽量靠近MOS的输入端(建议2~3个10uF电容)。

感谢Johnsin 的回复!

芯片没有空载的,最小的负载是20欧电子负载;

我的设计上有两路电源输出,一路是24V转12V,然后12V在转5V, 12V输出接了20欧的负载,5V输出没有接负载;

目前我的PCB是这样布局的:

LM3150的Vin管脚附近只有0.1uF的陶瓷电容,其他的电容(4个4.7uF的电容+1个0.1uF的电容)放在MOS管附近,而220uF的电容离MOS管和LM3150比较远,中间还隔了磁珠;wenbench软件也没有要求用220uF这么大的电容。

附件是PCB布局情况。

有个疑问,为什么不同的Ron阻值,发热情况不同?

Hi

   无论空载或者带负载,芯片发热意味了有过大的电流流入芯片。

   其实现在并没有出现烧机现象,直接用示波器测试启动瞬间,正常工作,或者关机瞬间的波形,应该可以看到输入电压的异常。

   问题可能出在你的磁珠和0.1uF的Vin电容上,输入可能形成的震荡。

Johnsin,你好!

根据你的建议,我量了Vin处的电压波形,没有发现电压异常或纹波很大的问题;

我也在Cin处和Vin处各增加一个220uF/50V的电容,问题还是一样的;

现有想不明白,为什么我更换了Ron的阻值,开关频率没有改变,始终处于290KHz左右,而且不稳定(unstable);

还有,是不是跟我的PCB布线有很大关系?

麻烦您继续帮我解答下,谢谢!

Hi

    用22uF陶瓷电容即可。

    有没有更换芯片确认? 之前提到芯片可能已经损坏?

我更换了芯片,还是一样的,应该不是芯片损坏的问题。

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