微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > TI电源管理交流 > 关于电源中的整流二极管

关于电源中的整流二极管

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

电源的频率为100K. 想要选择整流二极管

问一个业余一点的问题: 我发现二极管的datasheet上面, 不同管子的测试条件不一样:有的是在,IF=8.0A,diF/dt=1000A/µs,VR=400V的, 有的是在IF = 1 A; -di/dt = 50 A/µs; VR= 30 V; , 请问对与1个二级管来说:是不是在反向电压越大, di/dt越大的时候,反向恢复时间越快啊? 如果在VR30V,的时候,反向恢复时间为50ns, 对于100Khz的电源, 整流以及开关MOS管的缓冲, 是不是都够用了呢? 谢谢!

亲;di/dt越大;反向恢复电荷越多。但是;时间主要和电流温度等有关;和电流变化率关系不大。对于100kHz电源,一般;50nS的二极管已经很好了。

哦哦,谢谢你!   也就是说,虽然是在反向电压30V和电流变化率为较低下测得的,  在反向电压几百伏的时候, 也是没问题的啦? 

是的,只要测试电流接近额定,就可以这么用,不会有啥问题。

正向电流会影响反向恢复时间的测定,正向电流越大,对应的正向压降越大,结电容一定的情况下,Qrr越大,因此反向恢复时间越大。

 

 

di/dt越大,反向电流到达IRM的时间越短,反向恢复时间越小

至于VR,反向恢复时间都是在额定反向电压下测试的,比如100V耐压的二极管,测试时就取VR=100V

Max Han

至于VR,反向恢复时间都是在额定反向电压下测试的,比如100V耐压的二极管,测试时就取VR=100V

亲;不同厂家;测试标准不同,更不是按Vr来测试的。如600V二极管;多以400V来测试反向恢复特性。

同问

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top