用UC3843搭了个电路，但是低温试验下，起机不正常，炸机，附MOSFET驱动与DS波形，请大家帮忙分析下。

常温时可以，低温下不行，用的FQA13N80以及UC3843电路。波形上边一个为Vds波形，下边一个为对应的Vgs波形，不知道为何MOSFET在电源打嗝不停重启动期间，没有由截止进入饱和？图中为低压100Vac下的输入下的轻载波形。高压下265Vac输入时，启动就很容易炸机了。明显MOSFET的工作状态异常。

为了对应EMI，所以驱动电阻为10+39欧；放电时反并一个1N4148在39欧上。其他基本上与普通3843无区别。

现在就是想分析下，MOSFET为何在高占空比下，不进入导通状态？放电时间不足？ 

楼主，提供一个建议，关注下Vgs的电压。

我查了下FQA13N80的datasheet，Vgs(th)的最大值是5V，即有可能需要超过5V才能驱动MOS正常运行。

你的电压是6V，是靠近MOS测的还是靠近芯片测的？略微有些临界。

开机占空比太大了，应该限制开环占空比，同时增加软起动电路

驱动电压过低，建议将反馈绕组匝数调高一些，看能否正常启动，谢谢

MOSFET就是可以双向导通的，它开通的时候相当于一个电阻。同步整流就是根据这个来的利用它的RDSon很小的优势来提高效率。二极管最多做到0.3V就不错啦，可是MOS可以使开通的电压做到几十mV

  占空比太大了，可能是磁芯无法复位，导致磁芯饱和，从而导致MOS管炸机。

可能低温下磁芯的Bm会减小吧，看下Bm是否留有足够的裕量。

也可能是低压下，电解电容等器件的特性变差导致电源工作不正常，可试着增大电解电容试下。 

1、加软启动、2、低温下电容是不是有问题？

驱动电压6V对于13N80来说，太低了。出现工作不正常也是情理之中的事情。