关于DDR3电源芯片TPS51116的软启动问题

想请教下，关于此片子的软启动可以通过电容来调整上电时间吗？如果可以的话，接在哪两端？

谢谢！

楼主你好！

按照手册，输出电压VDDQ和VVTT的软启动时间与它们的输出电容有关系。具体计算公式请参考TPS51116  数据手册第17页的说明：

多谢，这个我也看到了，这个CVDDQ是接在哪两端的呢？

这个公式我也看到了，但是这个CVDDQ是接在哪2个管脚之间的呢？另外，这个TVDDQSS与CVDDQ有相关的数据提供吗？这个电源芯片是用在1.5V DDR3芯片上的！~

你好！

CVDDQ 就是VDDQ的输出电容，如下红色框框所示，分别是CVDDQ和CVTT：

非常感谢，再请教下，2X10μF和2X150μF指的是什么意思？

可否将包含此图的手册发给我啊，我下的手册中找不到这张图，谢了！

懂了，是并接2个150μF的电容，那如果我想让片子上电时间长一点，得让C8大一点，那这个C8的取值有范围要求吗？谢啦！

您好，如果我想让片子在10ms左右启动完，那么这个CVDDQ该多大呢？我用这块片子给2片16位DDR3芯片供电，期待您的回复！

您好！

请问要求的IVDDQOCP（VDDQ的输出电流保护阈值）是多少？然后可以利用上面给出的公式计算出你希望的启动时间。 另外，如果电路的工作模式选择的是DCAP模式，那么要注意输出电容的ESR满足数据手册第17页的公式：

希望能帮到您！

您好，感谢您的回复！这个IVDDQOCP怎么确定呢？和什么参数有关？我看了计算公式，好像和RDS(ON)有关，那这个RDS(ON)怎么求呢？另外，图中的VTRIP=60mV，L=1μH,F=400kHz，是这样的吧？

您好！

1. IVDDQOCP是你在设计前应该设定好的参数，就像输入输出电压这些参数一样；（你可以先确定两片DDR3所需要的电流大小，再取一个比它大一些的值代入）。

2. RDS(ON)是MOSFET的导通压降，可以在你选定的MOSFET的数据手册中查找；

3. 如果你选择的是通过RDS(ON)检测电流 ,那么VTRIP=Itrip*Rtrip; 如果你选择的是通过采样电阻检测电流，则VTRIP=60mV;

4. 如果你的电感是1uH,那么L=1uH.

另外TI有篇参考文档（见附件），希望对你有帮助。

好的，两片DDR3的IVDDQ加起来大概在600mA左右，而用公式计算得到IVDDQOCP≈1.25A，计算中代入的参数为,L=1μH，f=400kHz，VIN=5V,VOUT=1.5V。