tps61081 使用问题
使用的电源芯片是TPS61081，
1、led背光驱动电路，输入是5v，输出是20v/120mA的；
2、板子刚回来首先一个问题是layout的时候遗漏了terminal pad的散热接地部分没有接地，通过改动将其接地，不充分，但是可以保证接地完好
3、现在是问题是刚焊接好的线路板，在不带任何负载，输出是悬空的情况下，上电瞬间电流很大，以后就维持20几ma这样的电流，但是通过测量发现L端已经和地存在100欧左右的电阻，换了几个芯片，每个芯片电阻大小不一，基本在几十到100多欧这样，估计是mos管烧毁；
4、原理图如下，图中的con2是悬空的没有连接任何负载，电感采用是6.8uh的普通电感，是不是一定要用tdk的电感，是否是电感导致的这个原因？电容是C10和C11的值是4.7uf。R18=110K，R17=4.7
kefeng fu
使用的电源芯片是TPS61081，
1、led背光驱动电路，输入是5v，输出是20v/120mA的；
2、板子刚回来首先一个问题是layout的时候遗漏了terminal pad的散热接地部分没有接地，通过改动将其接地，不充分，但是可以保证接地完好
3、现在是问题是刚焊接好的线路板，在不带任何负载，输出是悬空的情况下，上电瞬间电流很大，以后就维持20几ma这样的电流，但是通过测量发现L端已经和地存在100欧左右的电阻，换了几个芯片，每个芯片电阻大小不一，基本在几十到100多欧这样，估计是mos管烧毁；
4、原理图如下，图中的con2是悬空的没有连接任何负载，电感采用是6.8uh的普通电感，是不是一定要用tdk的电感，是否是电感导致的这个原因？电容是C10和C11的值是4.7uf。R18=110K，R17=4.7
你设置输出电压的方式有问题， FB接4.7ohm电阻到地并不能得到12V的输出，请参考英文版datasheet 13页，式子（4）。
SS是软启动，请接电容，不是接电阻。参考英文版datasheet 14页，公式（8）（9）（10）.
电感没什么问题，各家的基本性能都一样。
我是使用的WLED驱动，用作背光驱动电源。参考电路在datasheet 18页
FB端主要是对led的电流进行采样检测。
kefeng fu
使用的电源芯片是TPS61081，
1、led背光驱动电路，输入是5v，输出是20v/120mA的；
2、板子刚回来首先一个问题是layout的时候遗漏了terminal pad的散热接地部分没有接地，通过改动将其接地，不充分，但是可以保证接地完好
3、现在是问题是刚焊接好的线路板，在不带任何负载，输出是悬空的情况下，上电瞬间电流很大，以后就维持20几ma这样的电流，但是通过测量发现L端已经和地存在100欧左右的电阻，换了几个芯片，每个芯片电阻大小不一，基本在几十到100多欧这样，估计是mos管烧毁；
4、原理图如下，图中的con2是悬空的没有连接任何负载，电感采用是6.8uh的普通电感，是不是一定要用tdk的电感，是否是电感导致的这个原因？电容是C10和C11的值是4.7uf。R18=110K，R17=4.7
上面有一个地方说错了，坏了的芯片是SW和地之间有几十到100欧左右的阻值，不是L
Osial
电感没什么问题，各家的基本性能都一样。
麻烦Osial帮我再仔细看下
Hi
L和W是通过电感连接的，阻抗差不多是一致。
如上可以参考TI的标准设计，电路上是没有问题的。建议如下：
1. 确认电感的饱和电流是否足够，按照5V转20V/120mA, 电感推荐选择800mA以上的饱和电流。 --- 从现象看是MOS烧掉了，电感饱和是容易造成MOS烧掉的。
2. 建议到TI官网上申请免费样片测试：http://www.ti.com.cn/tihome/cn/docs/homepage.tsp ----确认芯片质量问题
3. 注意一下layout，需要参考datasheet， 芯片底部的PowerPad需要与GND充分焊接，并尽量扩张GND面积用于散热，散热不好芯片带载能力会受限的，芯片也会发烫。
Hi
另外测试的时候建议带上LED. 你可以把sense电阻设置大一点来测试。 之前你测试L或者SW的阻抗是在带电情况下测试，还是断电的时候测试的？
空载测试会发生OVP保护，Duty会开到最大知道输出27V OVP保护，芯片shutdown.
kefeng fu
Osial
电感没什么问题，各家的基本性能都一样。
麻烦Osial帮我再仔细看下
不好意思，我刚刚意识到我搞错了，你是为了使其工作在恒流模式。
如果工作在恒流模式，你con2不接任何东西，表现为FB一直是低的，那么BOOST环路会认为芯片输出偏低，会进一步降低占空比以得到比较高的电压，最终导致SW到地电压过高，损坏芯片。
Johnsin Tao
Hi
L和W是通过电感连接的，阻抗差不多是一致。
如上可以参考TI的标准设计，电路上是没有问题的。建议如下：
1. 确认电感的饱和电流是否足够，按照5V转20V/120mA, 电感推荐选择800mA以上的饱和电流。 --- 从现象看是MOS烧掉了，电感饱和是容易造成MOS烧掉的。
2. 建议到TI官网上申请免费样片测试：http://www.ti.com.cn/tihome/cn/docs/homepage.tsp ----确认芯片质量问题
3. 注意一下layout，需要参考datasheet， 芯片底部的PowerPad需要与GND充分焊接，并尽量扩张GND面积用于散热，散热不好芯片带载能力会受限的，芯片也会发烫。
谢谢Johnsin Tao的回复，
1、SW和L是通过电感连接的，我在测量的时候是把坏的芯片吹下来，然后直接测量管脚的。至于电感的我们是市场上随便买的，没有使用手册上推荐的电感，只知道电感值和额定电流。
2、至于terminal pad的话，我是空载的情况下，我想我只要确保和地导通，至少不至于说是这个问题引起的烧mos管。
3、现在怀疑是芯片质量问题，因为我们有一块好的人家的驱动板，我们把好的芯片换上去，开始换了两个也不行，换了第三个才好，焊接问题可以可以排除。现在找代理商人家推荐我们用TPS61165，下面是原理图 同样是按照5V转20V/120mA的要求。能够帮我看下
Osial
kefeng fu
Osial
电感没什么问题，各家的基本性能都一样。
麻烦Osial帮我再仔细看下
不好意思，我刚刚意识到我搞错了，你是为了使其工作在恒流模式。
如果工作在恒流模式，你con2不接任何东西，表现为FB一直是低的，那么BOOST环路会认为芯片输出偏低，会进一步降低占空比以得到比较高的电压，最终导致SW到地电压过高，损坏芯片。
这个应该也不会的，我这里的demo板我们就是这样的，输出是最大27v多，没有任何问题。而且如果会出现你说的问题，那我们的板子上电还必须一定要接负载了，特别是调试的时候，开始都不一定会去连接显示屏的背光的。现在可能怀疑是购买的芯片问题吧。
kefeng fu
Osial
kefeng fu
Osial
电感没什么问题，各家的基本性能都一样。
麻烦Osial帮我再仔细看下
不好意思，我刚刚意识到我搞错了，你是为了使其工作在恒流模式。
如果工作在恒流模式，你con2不接任何东西，表现为FB一直是低的，那么BOOST环路会认为芯片输出偏低，会进一步降低占空比以得到比较高的电压，最终导致SW到地电压过高，损坏芯片。
这个应该也不会的，我这里的demo板我们就是这样的，输出是最大27v多，没有任何问题。而且如果会出现你说的问题，那我们的板子上电还必须一定要接负载了，特别是调试的时候，开始都不一定会去连接显示屏的背光的。现在可能怀疑是购买的芯片问题吧。
如果是定位到芯片的问题，可以去官网申请免费样片做测试。
Johnsin Tao
Hi
L和W是通过电感连接的，阻抗差不多是一致。
如上可以参考TI的标准设计，电路上是没有问题的。建议如下：
1. 确认电感的饱和电流是否足够，按照5V转20V/120mA, 电感推荐选择800mA以上的饱和电流。 --- 从现象看是MOS烧掉了，电感饱和是容易造成MOS烧掉的。
2. 建议到TI官网上申请免费样片测试：http://www.ti.com.cn/tihome/cn/docs/homepage.tsp ----确认芯片质量问题
3. 注意一下layout，需要参考datasheet， 芯片底部的PowerPad需要与GND充分焊接，并尽量扩张GND面积用于散热，散热不好芯片带载能力会受限的，芯片也会发烫。
现在初步判断应该是power pad 没有何地充分焊接好，因为上电后芯片很烫，我在人家好的demo板上前几次焊接不行可能也是由于接触面没有充分焊接，这两次我焊接好芯片后，用热风枪直接按压芯片，使其充分焊接，两次芯片都可以正常工作，其实即使没有散热垫，又不带负载，芯片手册上也有说明的
这颗芯片有OVP保护，但是如果输出电容离VOUT脚太远还是会造成SW上的ring太高导致烧下管。