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lm5045总是烧坏

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

我用LM5045做一款DC-DC全桥电源,输入电压60V,输出25V,我只要一上电,LM5045就坏,坏的表现是它的引脚HS1和HS2对地短路,这个片子是集成MOSFET驱动的全桥芯片,有人用过吗?

Hi

   全桥下臂的两个MOS是否有烧掉? 或者说整个电路中表现出来的仅仅是HS1和HS2对地短路,其他没有问题。

桥壁直通了吧,副边有用同步整流的话,去掉看看排除一下SR的影响;另外,自举的驱动对干扰也十分的敏感,抓一下上下管的驱动波形,是否误导通

Hi 

   方便的话将电路图上传上来看看?

MOS没有烧掉,VERF端也对地短路,我是用的辅助电源供电,测量辅助电源是正常的。抓VERF有过压,但不知道为什么有过压呢?

电路图也是仿照DEMO板画的,画图软件SUMMER09

没用同步整流,4个管子都没坏。

Hi

   能否转成PDF的,仅仅需要的是LM5045这一块的电路以及与REF相关的电路。(只能看到LM5045这一块的电路)

   另外需要说明的是您的输入电压是40~80V,这个电压是前一级产生的,是否有测试不要带LM5045(或者说您前一级产生这个电压,在空载时,输出电压可能升到多少伏?(不可以超过105V,测试点可以取在LM5045 Vin 这边)

帮楼主贴个PDF的以便大家查阅。

8105.Schematic Prints.pdf

控制部分的原理图没有太大的问题,建议把芯片的模拟地和功率地(AGND,PGND)做些滤波的处理,避免功率地对模拟地造成干扰;方便的话把完整的电路放上来看一下吧,比较怀疑自举驱动的问题,有没有可能造成自举电容过充,抓一下HS波形,负压的幅值大不大。

Hi

   请再将Vin,HS1,HS2三者的波形传上来看看。(用同一示波器中三个通道)
   正常而言,MOS的输入Vin应该和HS1,HS2之一的波形是接近(相差Rdson*Id),也就是HS1或HS2电压应该和Vin电压差不多。如果相差比较大,说明从MOS出来到芯片HS1/HS2之间可能存在较大的寄生电感。

    而layout上,因为采用了驱动芯片使得这两点的距离确实比较远,所以建议用上述测试确认。

楼主的问题解决了吗?我也遇到了一些问题,希望共同探讨一下

请问下,我能直接用“简化的全桥式电源转换器”这个电路图么

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