LM5022为什么在电压升高时，会提前关闭MOS管

LM5022原理图如下：负载接了一个750欧姆的电阻。

当调节输入电压大于48V时，用示波器测量MOS管的G级，会出现提前关闭MOS管的杂波，波形如下：

请问这是什么原因造成的？是哪个元件选择的不合适？该如何调整？谢谢！

LM5022的FB脚的波形如下（2通道）：

MOS管S级的波形如下（2通道）：

没人回答？急呀。

你好，

请多测量几个周期。示波器用单次触发，多抓几个周期来分析一下。

负载加大一点波形怎么样？

建议贴上半载的波形，还是只有在轻载的情况下有这种情况？可以将环路电容放到10nF试试

上述问题已经找到，主要是R116和R117两电阻过大引起，改小以后，问题消除。更新后的原理图如下：

现在遇到新的问题，当负载改为150欧姆，输入电压增加到70V时，MOS管G的波形在正常波形的后面会多出一个脉冲，波形如下：

输入电压继续增加时，这种脉冲会更多。

当负载为原来的750欧姆时，这种情况会在输入电压调到大于82V以后出现。

不知道该如何解决这个问题？我们的应用要求输入电压从36V到100V。

有人知道这是什么原因吗？

TI员工也不知道？

你好，

        你前面讲的 

LM5022为什么在电压升高时，会提前关闭MOS管

       这个问题没有了是吧？ 就是这个波形如何解释还不清楚吧？ 看你的描述应该是电源电感进入了不连续模式（DCM），DCM模式是正常现象，跟输入电压，负载电流和电感大小有关。 能同时抓Vds和Vgs的波形来判定一下电路的稳定性吗？ 另外芯片的驱动能力相对你选的mos有点小。建议把R121和R122改为0Ohm或者换个小Qg的mosfet。

提前关闭MOS管的问题没有了；

按照你的建议，将R121和R122改成0欧姆的电阻，并且将MOS管换成FDD120AN15A0（Qgs=3.5nC），MOS管G级的波形并没有什么起色；

如下是按照上述修改以后测得的Vgs（1通道-黄色）和Vds（2通道-蓝色）的波形：

下面是将输入电压调高到80V时测的波形：

在出现干扰脉冲时，有时候会听到电感发出的刺耳的声音。

先排除环路，将comp脚上电阻电容串联电路拿掉，33pF换成470nF。看一下。再确认一下变压器有没有饱和，气息开得够不够。

请问如何判断变压器有没有饱和？气息是什么意思？如何判断够不够？

将COMP脚上电阻电容串联电路拿掉，并将33PF电容换成470nF以后，貌似波形变得更差了，测得的波形如下：

请问是否可以判断干扰脉冲是由COMP引起？该如何调整？谢谢！

最近的帖子好像没人回答了

你用示波器MOSFET的电流波形，如果有上翘的情况则可能就是变压器饱和了。

另外，我建议如果不涉及商业秘密的话，贴出PCB图，那样我们得到的信息就更全面了。 

该产品采用4层板设计，PCB走线没有问题，变压器测了发现也没有饱和。由于输入电压比较高，感觉是补偿电路或者是电流采样电路的问题，但不知道如何修改。