在较高工作电压的条件下，DC-DC如何选择MOSFET？

输入电压58V，输出电压54V，过流3A，为磷酸铁锂电池的充电电源，选的MOS管是评估板里提到的BSC110N06NS3G，VDSS为60V。偶尔有插上电源后MOS管损坏。

MOS管没有过热烧毁的痕迹，多数损坏的现象都是在没有VGS的情况下MOS管D与S之间导通了。

各位觉得是什么原因导致MOSFET损毁呢？

进一步，降压型DC-DC选择MOS管的时候要考虑哪些极限参数呢？

耐压裕量不够，58V输入应该选择80V以上的管子，最好100V。要不然噪声肯定超过60V，造成损害。电流选择7A就够了。

在没有损坏的机子上面测试二极管两端的电压，看最高峰值有多少，然后根据这个峰值电压来决定选取多少v的管子，当然，选取一定要有至少10v的余量，然后就是管子的电流，可以根据电路计算出流过管子的电流是多少，通过mos管的数据手册，可以查到对应电流时mos管的温度， 那么也可以根据你电源的工作环境以及相应的温升来决定选取多大电流的管子；

我主要是想不清到底是哪些情况导致过压了。谢谢你的答复~

Hi

    检查前一级电源或者说输出是否有过冲的现象，以及58V输入走线的寄生电感与输入电容之间LC震荡(走线需要较宽规则，避免寄生电感的产生)。

    有的时候还要注意一下纹波的控制。