关于LDO Dropout 理解的提问

对于LDO，可简单理解为由一个调整管组成的电路（如图所示，假设调整管为PMOS），若输出电流为IO,当输入电压Vin比输出电压大很多时（调整管工作在饱和

区）的VGS0，先在扫描Vin,使得Vin逐渐减小，直到进入Dropout区；在Vin减小的过程中（忽略PMOS的VDS对ID的影响），当VDO=Vin-Vout较小使得管子进入线性区，由于线性区管子的输出电流会减小，而负载电流恒定为IO，监测环路为了保持输出电压Vout稳定，会调节PMOS的栅极电压VA，使得VGS增大，来维持输出电流IO的供应，此时管子仍然工作在线性区；且Vin继续减小时，会使得VGS迅速增大，当VGS增大到最大值（VA减小到其能达到的最小值，此时LDO进入Dropout区）后，Vin继续减小，VGS将相应减小，此后一段时间，LDO仍然工作在Dropout区。工作在Dropout区的LDO，其调整管可等效为一个电阻，且该等效电阻为该调整管所能达到的最小电阻。问题是，工作在Dropout区的调整管必定工作在线性区？线性区的电阻RDS=1/（Up*Cox*(VGS-VTH)*W/L），若工作在Dropout区的PMOS管，其输出电阻是线性区电阻表达式，则在进入Dropout区后，Vin的继续减小，其输出电阻会逐渐增大，但我在仿真中发现，Dropout区域还是比较大的，在Vin减小导致VGS减小过程中，IO基本不变，Dropout voltage也不变，从而RDS=Dropout/IO也不变，与线性区电阻表达相悖，请问，问题出在哪里？

区）

Hi，

“问题是，工作在Dropout区的调整管必定工作在线性区？”

工作在Dropout区的MOSFET一定是进入了饱和区。

TI网站上有一篇应用文档 “Understanding LDO Dropout” 或许能帮助你理解LDO的Dropout特性：http://www.ti.com/lit/an/slva207/slva207.pdf

Thanks.

您好，首先谢谢你的解答。。。Understanding LDO Dropout 我看过了，还是不太理解。。Dropout区的VDS很小，一般是几十到几百毫伏，但VGS很大的，故对PMOS来说，栅极电位VG要比漏极电位VD低很多（当VG<VD-VTH）时，管子就工作在线性区，所以Dropout区应该属于线性区才对。不是这样理解吗？

对MOS管，饱和区和线性区的定义和晶体管有些差异，请注意