tps40210升压问题
RFb3 1.5k rfb4 50k ccomp2 10nf rcomp1 50k cbp1用等容量电解电容代替，其他和原理图中一致，输入18V，需要28V输出，实际上只有24v，请问该怎么办
Hi
你的电感式多大？ 饱和电流时多少？
另外在测试中，你的负载在多大时测试输出时24V, 如果采用较轻的负载，输出电压是否在28V左右？
可以先按照webench的参考设计double check一下原理图- 4150.webench_design_tps40210.pdf
CBP最好用16V耐压的陶瓷电容。用电解不仅可能引起内部LDO不稳定，还有可能影响驱动工作。
方便的话可否提供驱动信号GDRV的示波器波形。
谢谢您的解答，电感是10uh，饱和电流是什么意思我不太明白，测试时我是用的开路啊。没有负载，直接电压表测的
恩，好的，谢谢你
gdrv是交流么？我用电压表直流档测得电压 是7v
用示波器看一下驱动的波形并不是用万用表测量电压值。
lox chen
gdrv是交流么？我用电压表直流档测得电压 是7v
饱和电流是电感达到磁饱和时候的电流，当电感饱和将无法储能，相当于导线。
lox chen
谢谢您的解答，电感是10uh，饱和电流是什么意思我不太明白，测试时我是用的开路啊。没有负载，直接电压表测的
方便的话可以提供一下详细的电感规格书。Webench仿真提供的电感规格Coilcraft的XAL1010-153MEB- http://www.coilcraft.com/pdf_viewer/showpdf.cfm?f=pdf_store:xal1010.pdf
HI
输出如果使用万用表测试的，输出可能是不稳定的，导致实际测试的结果偏离。
输出电容建议加大，然后再增加一个较低ESR的电容并联如10uF, 按照你现有的电路是会造成环路不稳定的，直接影响到对输出的测量。
Hi
关于电路，你直接可以用TI的仿真软件webench获得, 见网站： http://www.ti.com.cn/product/cn/tps40210
电路中对输出电容ESR都是有要求的，上述仿真软件的图中有标示， 电感的饱和电流你也可以在上述仿真软件里找到电感的datasheet，然后可以看到这个参数的(有的是用Idc, 这个不是饱和电流，但是一样可以用来评估, 按照2A输出或需要9A以上的饱和电流）。
您看这个行么，我的扫描周期是2ms
这个是驱动的波形？看起来是频率不稳定，波形很难看，幅值和频率多少？
另外，你实际电路中用的MOS和二极管分别是什么型号？
Hi
这个是输出的波形吗？ 看起来是很大的纹波， 也就是输出不稳定。 如之前建议增加输出电容到100uF以上，并增加一个10uF的陶瓷电容并联看看。
按照之前的仿真电路图，先更改一下输入输出的电容，同时，关注一下你的电感、mos、二极管等功率器件的选型；另外boost调试的时候带一点负载，完全空载或轻载不容易稳定。
三极管文档如下，二极管http://html.alldatasheetcn.com/html-pdf/94914/FAIRCHILD/IN4759A/406/1/IN4759A.html，麻烦你了，
关于MOS，因为开关频率比较高，开关损耗较大，所以建议选择结电容较小的MOS如webench推荐的AON7242 等，一是可以降低开关损耗，同时增加有效占空比。
电感的感量10uH~15uH之间是没有问题，你需要的是再确认一下抗直流偏置的能力；但因为你目前调试没有带负载，所以电感应该没有饱和，你可以带0.3A~0.5A的负载上一下电，示波器看一下输出以及驱动的波形是否异常，也可以把波形放到这上面大家一起看看。
Hi
造成不稳定的原因，除了和器件有关之外，还要注意一下layout，这一点可以参考TI的EVM板： http://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/sluu308/sluu308.pdf
确实PCB也有可能造成问题，楼主可以将你的PCB文件一起放上来看一下。
我把输出电容增加到了1000uf(是不是有点大？)，然后输出电压果然升高了，但是电容分走的4V的电压，也就是电容地端本来应该为0V，现在起4V了，怎么办啊，我并了个10UF电解电容，没用，一定要10Uf瓷片吗？可不可以取代啊？
1000uF太大了，继续按照参考设计的电路来试一下吧，82uF，再并一个一样的电容，陶瓷电容虑高频效果好一些所以建议并一个陶瓷。
Hi
输出电容300uF左右， ESR 3mohm 左右。
输出电压有提升，提升的电压并是不是因为GND的电压提升了，如果你确认测试到，则需要确认layout, 注意输入和输出是共GND的。
（如之前提到的，参考EVM扳的layout)
Hi
如下是用TI仿真软件得到的电路图：
这个软件非常方便，在芯片主页：http://www.ti.com.cn/product/cn/tps40210 就有（只需要注册TI就可以使用），输入输入电压范围，输出电压和负载，就可以得到电路图，之后你可以进到operating value, 可以修改参数，如频率和软启动时间。 对于周遍的器件（电感MOS之类），你点击对应零件编辑，可以进入零件页面，选择合适的器件，也可以参照规格选择列表之外的其他器件。
现在接地端正常了已经，我测了一下输出电流，只为0.8A；文档里电流计算公式有点看不懂，那个Vd是什么电压，分子的Vd和Vin之间是相乘的关系吗
Hi
Vd是二极管压降。
你所提到的公式是否是datasheet： http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/tps40210.pdf 第十二页的计算？
恩，是的，Iout的计算公式
Vd是二极管的导通压降，Vd和Vin是相减的关系，不过你需要注意的是这个公式是断续模式下的把连续的Duty的计算带入即得到临界条件
lox chen
现在接地端正常了已经，我测了一下输出电流，只为0.8A；文档里电流计算公式有点看不懂，那个Vd是什么电压，分子的Vd和Vin之间是相乘的关系吗
连续和断续模式的传函以及小信号分析都是不一样的，根据这个条件可以判断电路的工作模式
Hi
公式1是用伏安法：
CCM模式下
Duty on时： Vin=L*△I/DT △I是电感电流的变化量
Duty off 时： Vo+Vd-Vin=L*△I/(1-D)T
两次电流的变化是相等， 两式相除： Vin/(Vo+Vd)=(1-D)/D 即D=1-Vin/(Vo+Vd)
再补充一下吧，其实很简单就是把P12的公式(2)带入公式(3)就得到这个边界条件了。
Kevin Chen1
Vd是二极管的导通压降，Vd和Vin是相减的关系，不过你需要注意的是这个公式是断续模式下的把连续的Duty的计算带入即得到临界条件
lox chen
现在接地端正常了已经，我测了一下输出电流，只为0.8A；文档里电流计算公式有点看不懂，那个Vd是什么电压，分子的Vd和Vin之间是相乘的关系吗
Hi
公式3是不连续模式的计算，利用的是能量守恒：电感充电与输出守恒
L*△I*△I/2=Io(Vo+Vd)*DT 可以计算出不连续模式的占空比D.
连续模式和不连续模式之间有境界模式，就是刚好电感电流降到0即开始下一周期， 此时两种情况下D是相等的，即推出公式4.
关于Boost电路最基本的一些公式推到你可以直接参考这两个文档，很系统
- Understanding Boost Power Stages in Switchmode Power Supplies
- Basic Calculation of a Boost Converter's Power Stage
HI
需要指出的是之前计算的只是由DCM转换到CCM模式下临街的输出电流。
根据上面那个电流的计算公式，我把f调小后，电流达到了正常值，感谢所有给我解答的大神，谢谢你们
Hi
不客气。
不客气，你目前输出电压正常，带载也没问题了？
lox chen
根据上面那个电流的计算公式，我把f调小后，电流达到了正常值，感谢所有给我解答的大神，谢谢你们