LM5022 应用
请教一下5022，24V转90V，1.6A 可以做到吗？
合理选择外部器件是可以的。也可以尝试使用LM5122。
Hi
因为负载功率比较大，或需要增加额外的驱动电路。
发现90V 1.4A的时候，输出电压就掉到80V左右了啊？这是什么原因？电感47uH 10A的，求解惑，谢谢
LM5022最大占空比限制在90～95%之间，可否用示波器确认是否到达限值。
如果是的话就必须从减小系统损耗上着手，比如换用更小RDSON的功率管。
如果不是占空比的问题，就有可能触发限流了。
Rsns也被用作限流检测，请参考数据手册设计该电阻。
24V到90V Duty没有超过80呀？怎么会限住呢？
Hi
建议你上传电路图，以及驱动波形，Isen的波形。以及正常输出下最大电流时的效率。
按照你的设计，如果效率高出70%(通常至少80%以上), 占空比或不会特别高。
对于电感饱和电流，按照1.4A的平均输出电流，电感上的电流应该不超过9A, 除非效率特别低而导致较高的占空比。
有条件的话尝试更高饱和电流的电感。
Hi
如果占空比低于80%，效率应该在90%左右。
请提供驱动波形和Isen的波形。
可以了，修改sense电阻，可是请教此芯片不是CYCLE BY CYCLE的限流吗？限流后，此芯片做什么动作，为什么仅仅是电压值降低呀？谢谢~
该控制器采用峰值电流模式，箝位了EA的最高输出电压，使得峰值电流无法无限制上升，输出近似恒流。该保护不是逐周期的。
那能解释一下为什么电压会掉吗？ 比如说我拉到1.6A，current limit之后90V变为70V的输出，是current limit之后对duty做了限制还是？谢谢！
可以认为是限制了占空比
Hi
是逐周的限制了duty，一旦CS电压高出0.5V, 这驱动就立即被关掉，也就是限制了duty进一步的增加。见datasheet第十页描述： The LM5022 provides a cycle-by-cycle over current protection function. Current limit is accomplished by an internal current sense comparator. If the voltage at the current sense comparator input exceeds 0.5V, the MOSFET gate drive will be immediately terminated.
修正一下之前解释，诚如Johnsin所述，该控制器具有逐周期限流功能。
OK, TKS!
询问下，5022最小开关频率能设定成多少，还有输出驱动的电压是多少V？
Hi
Datasheet 只是强调了LM5022最高频率可以高达2MHz, 并未提及最低频率，经验上一般最低可以达到几十kHz(50kHz以上), 不过从datasheet 第七页第一个图看datasheet推荐频率是200kHz~1000kHz(接近).
通常而言，对于DC/DC, 频率推荐是300~700kHz, 500kHz 典型值。
频率过高，会导致功耗交大，影响效率，而且导致发热严重。频率过低，会导致电感感量过大，造成零件体积大，而且动态反应慢。
Hi
驱动电压输出见datasheet第五页参数表：
Output High Saturation Voltage (VCC – VOUT) 0.25~0.75 V， 即高电平输出是Vcc-250mV(典型值)
Output Low Saturation Voltage (VOUT) 0.25~0.75 V， 即低电平输出是250mV(典型值)
我想问一下，能用LM5022做9—18升到22V，输出7A的Boost电路吗，芯片的驱动能力够用吗
Hi
按照你的设计，看一下选择的MOS管的Q9, 计算Vcc电流Ivcc=Qg*f， 如果这个电流过大，会导致驱动能力不足，按照datasheet Ivcc的电流规格是4mAmax.(典型值3.5mA)
LM5022最大是4mA,用Ivcc=Qg*f来计算的话，如果MOS的Qg是26nC,那么根据公式，算得开关频率就是不能低于130KHz,是这个意思吗？
Hi
4mA的测试条件是OUT的电容为0pF, Vcc电压等于10V, 在设计的设计中OUT脚的MOS可以看做是5~10nF的等效电容，Vcc的电压是7V, 所以实际上VCC再稳定状态下能提供多达的驱动电流datasheet并没有详细说明，只是提到VCC的短路电流15mA。
建议您采用TI的webench仿真去获得电路设计图，这个也以验证实际的驱动能力。
按照你的设计，要输出22V/7A, LM5022驱动能力是不够的。
Lei Zhang,
我个人的理解不是用开关频率来评估，因为在MOS的Vgs达到稳态的驱动电压后，芯片驱动引脚的source电流是为0的，需要考虑的是MOS的上升沿时间，如果选择IPP147N03这个30V/20A的MOS来说，Qg=4.8nC，如果上升沿做成tr=10nS，Qg/tr=0.48A，与datasheet的1A的峰值驱动电流来说肯定是足够的。
lei zhang5
LM5022最大是4mA,用Ivcc=Qg*f来计算的话，如果MOS的Qg是26nC,那么根据公式，算得开关频率就是不能低于130KHz,是这个意思吗？
Hi
同意，用驱动的峰值电流来确定驱动能力是合理的。
请问，对于一般的MOS，我们把上升时间做到大概多少nS?我看一些资料上写，做到200nS以内就算是可以，是这个样子的吗？
你的开关频率定位多少？如果是你们之前讨论的最高2MHz，200nS太慢了不合适，另外这个上升沿时间与MOS的结电容大小有很大关系，结电容大上升沿慢。以IPP147N03为例
上升沿对EMI和开关损耗都有影响，上升沿时间太短开关损耗小，但会是一个很大的dv/dt，不利于EMI，所以这是一个调试的折中值。如果用这个管子，高频下，可以先取20nS~30nS来调试优化。