LDO补偿之ESR

用片外电容的ESR产生零点补偿LDO

这个ESR电阻大小是欧姆级别

请问：ESR补偿电阻可以自己在片内增加吗？

            pad和PCB版的寄生电阻对ESR补偿有多大影响？

            对电路进行仿真时怎么对片外Co进行建模

 谁能解答下，或者给个论文，谢谢

LDO的主要噪声来源为基准。内部基准一般会加旁路电容，增大旁路电容能够使基准噪声成为产生 LDO输出噪声的次要因素，有利于减小输出噪声。旁路电容值越大，输出电压上升速率越慢。影响 LDO 输出噪声的其它因素还有：LDO 内部极点、零点和输出极点。增大输出电容的容量或减轻输出负载有利于降低高频输出噪声。

内部放一电容，与外接的分压电阻的上电阻并联。

LDO的一般外接器件较少，并且布线，或PCB回路较短，在合理布局，PAD和PCB版的寄生电阻对ESR补偿影响应该不大。

对于片外CO进行建模，可以用电容的等效模型：ESR 串联电容，其电容上的等效电感忽略。

谢谢！