微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > TI电源管理交流 > TPS40170 出现烧芯片现象

TPS40170 出现烧芯片现象

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

附件为TPS40170 其中PIN3 是接高电平,MASTER工作模式

能否帮忙详细说明一下:

1. 能否具体说明一下芯片是在什么情况下烧的? 具体烧的是哪一个脚?

2. 最大负载是多少?

3. 烧芯片的比例,是只做了一个板子,测试就烧了,还是做了很多个板子,就烧这一块?

需要说明的是ENABLE最高耐压是8.8V, 不可以直接接到48V, 这样会烧芯片的,请确认是不是标示错误,还是因此就将芯片烧了。

1.看不出具体被烧PIN

2.空载工作

3.一共做了3个板子,全部被烧。

现已将输入电压调整过来

能否提供你的email地址

Johnsin,

请参考如下内容:

1. 能否具体说明一下芯片是在什么情况下烧的? 具体烧的是哪一个脚?

 具体烧了哪个脚位,没去详细查找。只是发现空载时,芯片明显发烫。 输入电流明显增大到1A多。

2. 最大负载是多少?

空载状态下,都烧芯片。 M/S 脚接3.3V。 PWM一直都没输出。

3. 烧芯片的比例,是只做了一个板子,测试就烧了,还是做了很多个板子,就烧这一块?

需要说明的是ENABLE最高耐压是8.8V, 不可以直接接到48V, 这样会烧芯片的,请确认是不是标示错误,还是因此就将芯片烧了。

  做了3PCS板调试。 3PCS板的芯片都烧了。 ENABLE脚有改为8V, 不是直接连接48V。ENABLE改为8V后,M/S 脚接3.3V,改为MASTER 模式,还是烧芯片,空载时,芯片明显发烫。 输入电流明显增大。PWM一直都没输出。

在您的设计中有如下问题需要修正和确认:

1. 反馈回路的设计,FB电压是0.6V, 按照您的电阻设计49.9/1/1欧姆的分压会使得输出为31.4V,同时会在电阻上产生大的电流,电阻难以承受,同时消耗功耗,严重影响效率。推荐R7选10k欧姆,R12不要,R14选523欧姆,补偿网络重新计算。 (测试一下芯片FB脚,与没有用过的芯片比较,看阻抗是否异常,确认是否是FB烧掉了)

2. 预定的最大输出电流会影响MOS,电感,输出电容的选择,后续你需要确认您的电感能否承受实际的峰值电流,防止饱和。

3. 空载烧芯片,按照这种MOS外置的设计,需要确认的是芯片脚是否有过压情况。芯片的主要电流消耗在于MOS,如果MOS没有烧,通常芯片不会发烫,所以要确认FB等其他脚是否有过压的异常。(如果芯片烧了,直接测试芯片脚阻抗,比较没有用过的好芯片,就可以确认芯片哪个脚烧掉了)

4. 去掉C3  1nF电容,R6  10kohm电阻,直接VDD接TRK.

Johnsin,

工程人员按照你提供的方法进行修改,仍是出现烧芯片现象。

VSS 一直处于如下状况,过后一段时间。输入电流明显增大,(空载时)可参考附件

过电流保护或者过温保护都会造成的SS电压这样变化。

问题可能是电感造成的,你们的电感是否是自己绕的,或者来源于电子市场,电感质量有问题,容易磁饱和失去感量,而导致大的电流输入, 看看MOS是否烧了? 芯片不一定烧了。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top