bq78350-R1容量问题

由于我没有高低温箱，所以得到GPCCEDV六条不同温度不同放电速率时的放电曲线数据时比较吃力，温度各种不好控制，好不容易得到的数据提交到TI由于放电深度不够还报错，重新测的数据在bqStudio这边GPCPackager -> Load Files时居然也报错（http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/battery_management/f/35/t/146501.aspx）实在要崩溃的节奏。

然后我直接更改了影响CEDV的某个参数（EMF\R0\T0\R1\TC\C1）,即，充进满电量然后放电时对这个参数做调整使Pending EDV的数值接近我想要的值，因为我拿容量测试仪单独放过18650的容量曲线数据，所以根据这个曲线数据以及对EDV2\EDV1\EDV0的理解，使max error达到了2%。

求教的是：

1. 是不是要容量准确的话只要MAX Error达到2%就OK了？

2. Data Memory->Fual auging->CEDV cfg -> 

这里的字面意思是要求的学习循环数，默认20，一般我们是不是只需要循环学习一次就够了？即设置为1. 因为我是晚上做的容量学习，做完后静置然后充满电就shutdown了，结果第二天来唤醒后max error直接又是100%。所以是否是这个参数设置不对，应该设置为1呢？

本来是在别人的帖子里求教的，想想不如还是直接发一个求教帖更好。希望得到大神的解答。

关于ｍａｘ error

http://www.ti.com/lit/ug/sluu485a/sluu485a.pdf　ｐａｇｅ 77

EMF\R0\T0\R1\TC\C1

这些参数是ＣＥＤＶ的必须的，最好是按照ＧＰＣ CEDV 的要求做数据。　

ｍａｘ error 和这个关系不大，