BQ76200使用
时间：10-02
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如下图使用BQ76200构成高侧mos驱动电路，实际实验结果为：VBAT_SEN电压为30V，当CP_EN=1,DSG_EN=1时，测量VDDCP电压40V，但是BQ_DSG对地电压只有30.5V，完全不足以驱动mos。更换C132结果依然一样。
请帮我分析一下问题出在哪里？，谢谢
你可以量一下BQ76200的DSG pin与PACK pin的压差，看有没有12V的压差。
DSG pin与PACK pin的压差只有0.5V
你可以试着把1pin上的2.2uF加大