关于BQ24170 11脚TTC的三种状态的疑问
你好! 我想咨询下关于BQ24170 11脚TTC的三种状态,我对照了英文翻译,但始终没能完全理解。
目前我使用三串12.6 2600mA 锂电池,0.5A充电电流 。有以下几点不明请帮解答:
1. TTC端按照damo板设置了100NF电容,不知是否合适?
2. 对于该TTC端接入电容,存在一个预充电过程,请问这部分是在什么情况下进行的?因为我看到的是始终0.5A的充电电流。
只有在接近充满状态(五个小时以后)电流趋于变小的过程。
3. 设置低电平与高电平分别是什么样的结果?希望能结合实际帮解释一下。
麻烦能有详细的易懂的回答 感谢!
1. TTC端按照damo板设置了100NF电容,不知是否合适?
A: 可以。
2. 对于该TTC端接入电容,存在一个预充电过程,请问这部分是在什么情况下进行的?因为我看到的是始终0.5A的充电电流。
只有在接近充满状态(五个小时以后)电流趋于变小的过程。
A:当3串电池电压小于8.7V,即<VLOWV
3. 设置低电平与高电平分别是什么样的结果?希望能结合实际帮解释一下。
A: 设置低电平,充电不会截止,没有快充Safty timer
设置高电平,充电可以截止,没有快充Safty timer.
当前设置了100nF, 按照5.6min/nF ,safty timer为560min,近10小时。
也就是说充电电流无论设置多少,在充电560min后,充电电路将自动切掉输出。
以上理解是否正确?
2600mAh实际用0.5A充,在5小时可以充满,而以上设置的100NF电容是否可以适当改小,有没这个意义和必要?
请帮解答 谢谢!
建议不要更改。这个是保护措施,只有电池在Safety Timer设定时间内,没能充满电,芯片认为电池有问题,才会触发这个保护。
多谢指点!另外还有个疑问:
我的设计是参考《BQ24170 DAMO》实例来做的,其中 Maximum input current 这项参数,max值可以达到8A,这个值是有效值还是峰值?另外这个8A的持续时间
是多少,有相关参数可提供吗?而实际我这边使用时,15V输入,3A都不到(有效值电流),输入部分的2个CSD17313Q2 MOS管就发烫厉害,(mos管底部有一定
面积的铺铜扇热,但受开发成本、空间限制,没有像damo板那样大面积铺铜) ,我遇到的这个管子发热严重的现象应正常吧,帮确认下?
另外调试了十几二十片样板,使用后发现输入级的Q2容易击穿,结果导致:输出给下一级的电压下降0.5V左右,如输入15V输出只有14.5V,请帮分析这个问题可能
会是哪部分引发,是过热?是上下电切换瞬间损坏?(Q2,Q3的开启电容分别为 C9 4700PF, C6 0.047uf,同damo板。)
CSD17313的Rdson太大,建议用Rdson更小的MOS,如CSD17318Q2.
请提供一下,上电波形,冲击电压是否会过高?
C7,C8的值是多少?是否有增加过这些电容?如果有增加过,需要适当的增加C6。防止MOS管在上电过程中,超SOA损坏。
Q2 G脚启动波形参考附件,看起来并没有毛刺和尖峰。
C7,C8以及C1为Vsys上所接电容,为负载电容,我这边根据开关打开与关闭分为两种情况:
1.在不开启开关下,Vsys所接电容总计为固定500uf左右。
2.在打开开关下,上电瞬间,Vsys所接电容会在以上500uf的基础上额外增加整个系统所接电容以及电路所消耗的电流,这部分总计估算不会小于1000uf。
故尤其在打开系统开关下启动,过Q2,Q3的瞬间电流是比较大的。
按照你所述,输入级Q2、Q3 MOS管改用CSD17318会好,
有一个参数望帮推荐,即C9,C6的取值改为多少合适?danmo版分别为472与473
(另外damo版的R7使用的是499K,因物料通用我这边用了470K,这部分应该问题不大)
最后有个疑问,考虑到输入级MOS管Q2 Q3以及BQ24170的安全工作电压在30V,从中来看,请再帮回复2个问题:
1. damo版的DC—in MAX电压值为多少?是否为30V
2.电路有反向DC输入保护功能,这个反向输入值多少V范围内是为安全区?
附件Q2 G脚上电波形
如果SYS上有1000uF的电容,MOS烧坏是可能的,启动时的电流应该已经超出MOS管的SOA范围,请减少SYS电容,建议用几十uF的瓷片电容就可以了。
如果一定要增加SYS电容,需要延长Q2的开启时间。
这在上一贴已经回复了,减少SYS电容会安全,但设计需要考虑到实际应用,像这个电路一般会应用在几瓦--几十瓦的负载,
负载上的一些IC、功放等,这些器件电源端往往会加一些去耦电容、偏置电容,这些电容势必会达到几百uf--上千uf,
如果这个电路承受不了这样子的上电冲击,应用受到很大局限性。
另外上一贴的这个问题期待你们的解析:
-------最后有个疑问,考虑到输入级MOS管Q2 Q3以及BQ24170的安全工作电压在30V,从中来看,请再帮回复2个问题:
1. damo版的DC—in MAX电压值为多少?是否为30V
2.电路有反向DC输入保护功能,这个反向输入值多少V范围内是为安全区?
这不是线路问题。是你参数的设计问题。如果需要支持大电容,你需要选择更大的MOS管。我们EVM板是按EVM板的应用要求来设计的。
1. damo版的DC—in MAX电压值为多少?是否为30V
Demo板输入电压建议最大值是18V, EVM User Guide有标明。
2.电路有反向DC输入保护功能,这个反向输入值多少V范围内是为安全区?
-18V。
Demo板介绍的输入电压保护值我有看,高端在18V,低端在6V,电路会进入保护状态,电路停止工作。
关于第1点我希望了解到的是,输入电压的极限值-----即 超过多少电压 可能就会引起内部IC或MOS管不可恢复性的故障?
第2点 DC输入保护功能 反向安全电压18V,这样的话,适配器24V反接输入,硬件可能就会故障了?看起来安全等级不大够哦。
Demo板介绍的输入电压保护值我有看,高端在18V,低端在6V,电路会进入保护状态,电路停止工作。
关于第1点我希望了解到的是,输入电压的极限值-----即 超过多少电压 可能就会引起内部IC或MOS管不可恢复性的故障?
----正常来讲连接24V、28V或更高适配器输入,这种情况会有,用户误用了其他高一规格电压的适配器,这种情况下虽有超过高端18V,
电路会进入保护停止工作状态, 但内部电路并不应该出现故障。
目前我试验的情况是在输入大于25V情况下,容易出现上述输入MOS管击穿问题。
所以我很想知道,这个输入最大值会在多少?照理论值应该能达到接近30V,实际是否可以达到28V?
这是前期问题反应补充与说明,望TI方面能技术支持一下。
在此感谢!
30V是保护电压,是指芯片不工作时,芯片能保护的最大输入电压(不是工作电压)。芯片工作电压推荐是4.5V~17V。
只要芯片PIN脚不超过芯片的相应的最大耐压值,芯片就不会损坏。
MOS管的损坏,你需要看看是否是SOA损坏(电压更高,启动时单位时间内所需能量更大,更容易超过MOS管的SOA区间)还是过压损坏。SOA损坏就换更大的MOS管,过压损坏就换耐压更高的MOS管。