BQ76200 高侧驱动问题
时间:10-02
整理:3721RD
点击:
您好,现在我用BQ76200做了锂电管理系统 NMOS的高侧驱动, 部分原理图如下,使能端全部接到MCU ,并且全部置高(3.3V),但是输出端CHG(16pin)任然为BAT_T+ 电池组总电压53V,DSG(12PIN) 为10V左右, PCHG 是40V(这个是PMOS驱动,看来是这个是对的), 当时以为是我的MOS端影响到了输出,后来去掉了R194,R201,R202,现象还是一样, 测量VDDCP(PIN1) 60V, BAT 电压53V(2PIN), 后面D58也去掉了,但是现象还是一样,请帮我分析一下问题出在哪里呢?
另外,芯片有稍微的发热
将C8电容调大试试。106以上
您好,改了C80 为10uF, 但是现象还是一样,CHG 还是输出为53V(BAT电压),DSG 输出 10V左右, PCHG =40V, 但是VDDCP(1PIN的电压稍微提高了一点 63V), 请问还有其他地方需要注意吗?应该不是MCU I0电平 3.3不够高的原因吧?我看资料这里是支持MCU 对接的,其他地方感觉也没什么了,现在输出与外接的电路都断开了(那几个输出串的电阻都去掉了)
更换了板子再次实验换C80为 10UF(C80 =1.5UF测试确实不行), 一切正常,感谢 yin tao peng 的解答
但是这个芯片会发热,而且也是比较热的,或许把R190 再加大一些? 需要再验证一下看看