BQ76930 cell balance问题

Figure 7. External Balance FET Gate Protection   这点讲到对均很MOS的G极保护问题，我一直看不懂到底是描述的是什么意思。

1，inrush current through the filter resistors will turn on P-channel balance FETs and pull up the
lower input  短路后，浪涌电流会通过滤波电阻打开均衡MOS，并且拉高低平输入。

我是这个理解的，短路后电芯电压接近0V，滤波电容Cc14上面的电荷会流过Rc14,Rg14,但是我根本看不出来 这个过程对均衡MOS的G极有什么影响？G极是需要低电平驱动的。 

还有pull up the lower input 拉高低平输入，这个又是什么意思？

2，This effect can continue down the cell stack 此种影响将会持续到级联电芯，这句话又是什么意思？

Cell connection瞬间，Rc14上的电流是从左往右，经过Rc14到Cc14，瞬间inrush current很大，会产生一个压降，这个电压是施加在PFET的SG端。对于P管，VSG电压大于Vth后，FET会导通。这个过程相当于给Cell放电。所以文中这么讲。

谢谢，我理解了。

我有疑问，就算是P管被导通，CELL放电，时间应该是很短，电流也不大吧？  对整个电池组影响不大吧