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BQ24650给锂电池充电

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

使用24650demo板电路(SLUU444A),MOS换成IPU09N03电感4.7uh采样电阻5mR。出现的问题是bq24650工作时会发热。流入VCC脚电流1.54ma,流入STAT1管脚1.7mA。现在怀疑BTST脚流入过大的电流。 手摸IC本身有明显温升。我用这个电路给电池以8A恒流方式给电池充电到14V(实际中只能最大输出7A,而且很快下降到6A),充电时间是20小时每次。大约3次左右,bq24650就会坏。原理图如下:

请问是给什么样的电池充电?输入电压,及设定的电池充电电压是多少?电感4.7uH是什么型号的,其饱和电流是多少?PH及REGN的波形正常?

输入电压是20V,MPPSET设置在18.6V,输出充电压限压设置在14V,4.7uH电感饱和电流18A (线艺SER2013-472L),REGN是6V直流,VREF是3.3V直流。PH波形如下,这是使用SI7288这个MOS时的波形。

如果使用的MOS是IPU09N03 波形变成这样,很奇怪为什么下管的脉冲变窄成这样

整理下 过程是这样

今年3月用bq24650按照SLUU444A–August 2010–Revised October 2010

bq24650EVM Synchronous, Switch-Mode, Battery Charge
Controller for Solar Power  完全按照手册中原理图做,直流信号vref Vgren 波形 PH HIDRV LODRV 充电过程等都没有问题

有的问题是这个方案采用的SO8封装的MOS散热很难解决。我实际需要应用是光伏18.6V-110W电池板输入,给4串150AH锂电充电,最大输出电流8A。所以我把参考手册中SI7288这个MOS换成 IPU09N03,然后我原理图是P1,设置的输出电压是14V,MPPSET是18.6V,最大充电电流8A

然后我实际测试测试波形附件P2,发现MOS进入不同步整流状态。按照pdf的说明,采样电阻的信号如果低于5mV,下管会提前关闭防止电池对MOS管反向灌电。但是图中电流大于1A,证明不是这个问题。我用这个板子 但是MOS管采用外焊接SI7288的方式,是可以进入同步整流的,那么是不是这2个MOS管的差异照成的。但是我对比这个2个MOS,发现除了输入电容Si7288比IPU09n03要大一倍外,其它如Qg tr tf 都是接近的,那么到底是什么原因造成这个情况?

Trevor ,我把文档中15页看到关于同步与非同步的问题,但是它提到

充电器当srp电压低于5mV进入非同步模式。另外,充电器强迫进入非同步整流当电池电压低于2V或者srp电压低于1.25mV。我现在的现象不属于这种情况,我使用不同的MOS就会进入非同步模式,如果按照参考设计选的SI7288,那么就能进入同步模式。我对比选用的MOS IPU09N03和SI7288 ,我发现其Qg都是接近的,那引起这个现象的原因是什么?

你的这个问题解决了吗?我也在弄这个,遇到了许多问题,想要请教一下。

你好,

在Si7288DP数据手册中,当Vgs=10V时,Qg典型值为10nC,在Vgs=4.5V时,Qg典型值为4.9nC;而IPD09N03LA数据手册中Qg=10nC的条件为Vgs=4.5V。按实际应用,驱动电压约为5V,IPD09N03LA的Qg要比Si7288DP的大一倍左右,则IPD09N03LA的总驱动损耗要比Si7288DP大一倍。

而Si7288DP的Rg典型值为2.7Ohm,IPD09N03LA为1Ohm,所以bq24650上由于驱动MOSFET的损耗在使用IPD09N03LA时比Si7288DP大一倍以上。这应该是发热的主要原因。

关于使用英飞凌的MOSFET进入非同步工作情况,从您给的波形看不像是由于电感电流减小到接近断续。是否有看过REGN和BTST两点的电压有没有异常?

楼主选择MOSFET时也可以考虑选用TI的30V的NexFET。

如CSD17307Q5A,在Vgs=4.5V时,Qg=4nC,而Rdson只有9.7m Ohm,比SI7288的1/2还低,而在与IPU09N03同样6平方厘米的铜皮散热条件下,热阻也基本一致。

楼主的电路图是没有问题的吧!只要把MOSFET换成TI的那个就可以把!

这个片子的样片能给我个样片吗?

 

你好,

样片可以直接从官网上提交申请,是非常方便的。

可以发我一份24650的资料啊,,最好PCB图     我画的出不来驱动波形

你好,

附件为BQ24650EVM的user's guide. 里面有电路原理图和PCB layout供您参考。

你好,请问你有bq24650的model 和library,感激不尽。

BQ24650 这个片子很难做,问题太多,对芯片的接地很讲究,时好时坏。碰运气焊好一块怎么弄都对,倒霉时根本没动静。而且完全是按照TI的资料做的。

TI给出的DEMO没什么意义,是4层板的,一般因成本问题不会采用4层板,实用中也不会用那么大的板子做这么一点电路。希望TI给出的DEMO今后从实用角度出发,否则没什么意义。

1.为什么我在使用bq24650EVM-639时,做use's guide的第一个测试时,也就是直接电源,不接负载,为么会测得V(J2(VOUT))有电压?

2.怎样才可以用21V的太阳能电池板通过bq24650给12V的蓄电池充电?具体的操作不清楚,买了bq24650EVM-639这测试板后不知道怎么用最好。

3.我用万用表测了R15这电阻为什么才80多K,电路上的是100K,

4.当我做充电器启用和电池检测时,连接JP1(内部TS)的2-3; 短JP4(充电器使能),其他数据都跟usr's guide手册的一样,就是V(J2(VOUT))=2.1V而不是12V为什么?

希望可以得到回复(急)

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