BQ34Z100-G1学习成功后导出golden image过程问题请教

您好，

     关于锂电学习成功以后，我有几个问题想请教一下：

我针对锂电池，学习成功后状态，max error=1%,cycle count=2, update status=6;Ra table =0055

1.导出.gg.csv文件以后，将其中的cycle count 修改为0和 update status修改为2，另存为.gg.csv

2.将一片新的芯片烧写.srec,配置正确参数，选择正确的chem id（之前学习的同一ID）;

3.再将modified.gg.csv导入；

4.导出golden image

5.分别依次烧写.srec文件，.df.ds文件，.bq.ds文件；

但是芯片读出的data memory的Qmax cell 0没有更新，update status 变为0，max error为100%，甚至Ra table的值为ff55跟之前导入的modified.gg.csv不同。

请指导一下，

1）烧写完学习成功导出的golden image后的Qmax cell 0，update status ，max error，Ra table等的状态应是怎样的？

2）正确的学习成功步骤是怎样的？学习过程中还可以对data memory的参数进行更改么，会有什么样的后果？

3）文档Preparing Optimized Default Flash Constants for Specific Battery Types中要求充电完成放置2H，若只静置到VOK is cleared,QMAX cell 0已经更新，但是时间不到1H,或者放置时间为一夜会怎样？放电完成后静置5H，若放置时间为一夜会怎样？会影响golden image 的导出并烧写么？

以上麻烦解答一下疑惑，谢谢！

1）烧写完学习成功导出的golden image后的Qmax cell 0，update status ，max error，Ra table等的状态应是怎样的？

Qmax cell 0应该更新成比Design Capacity略大的值。update status应该是0x06，max error为1%， Ra table不好说应该是多大，但至少应该是有更新。

2）正确的学习成功步骤是怎样的？学习过程中还可以对data memory的参数进行更改么，会有什么样的后果？

学习的步骤见下面。

3）文档Preparing Optimized Default Flash Constants for Specific Battery Types中要求充电完成放置2H，若只静置到VOK is cleared,QMAX cell 0已经更新，但是时间不到1H,或者放置时间为一夜会怎样？放电完成后静置5H，若放置时间为一夜会怎样？会影响golden image 的导出并烧写么？

只要VOK is cleared,QMAX cell 0已经更新，那就可以开始放电。放置时间为一夜，只要期间没有充电或者放电，应该影响不大。放电完成后只要Qmax再次更新，Update Status变成0x06，代表已经学习成功，后续不需要再等待。

1，要做golden learning，首先要选择对的Chem ID。选择完Chem ID后，用EVSW设置好所有的dataflash参数，然后进行电压电流温度的校准，确认已经完成了这三个动作，才可以进行下面的步骤。然后发送命令0x41复位，等待4秒，导出SENC文件备用。

2、把电池包用0.2C电流放电到3V，然后静置5小时。

3、发送0x21命令使能IT算法，建议全程自动记录DataRAM数据（即log的数据，4秒间隔）和DataFlash数据（即自动导出GG文件，10分钟间隔）。

4、学习过程中注意观测Control Status寄存器里面的这几个标志位 RUP_DIS，VOK，QEN，在充电前确保RUP_DIS为0，VOK和QEN为1，如果没有则等待或者检测是否参数设置错误或者没发0x41和0x21命令，以及查看DataFlash里的Update Status是否为0x04。

5、满足以上条件就可以充电，电流为0.5C，电压为4.35V，一直充到电流小于设定的Taper Current值，Flags寄存器里的FC置位，即可停止充电。

6、静置2小时，观察VOK是否清零，以及Update Status是否为0x05，如果都满足，则可以开始放电，放电电流为0.2C，一直放电到实际使用设置的截止电压，然后停止放电静置5个小时。

7、观察DataFlash里的Update Status为0x06。如果还是0x05，则学习不成功。