能否提供一下bq40z50EVM的配置和循环学习操作流程

手头刚拿到块bq40z50EVM，已经在bqstudio选取好了chem ID，但是一些其他的诸如Qmax的参数还没写，数据手册说根据电池厂商的手册填，问题是只有电池的型号，查不到生产商的手册如何？填相近的可以吗？

另外能否给出这个链接中http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/battery_management/f/35/t/96408.aspx截图所示的配置过程文件，因为是第一次用，技术文档内容太多了，希望有个参考！

请Ti的工程师尽快回复，多谢！

建议还是根据电芯的规格书来配置跟电芯相关的参数，如Design Capacity，Qmax等。

谢谢建议，那么请问一下在enable guaging之前，除了电芯的参数，串数之外还有大概哪些需要自己预先设置的 （温度，电压和电流都校准了）。

还有个问题就是在enable guaging之后，充放电的mos管是人为发送指令开启还是芯片自己开启的？是否需要先让FET_EN置1？

需要发送指令让FET_EN置位。

数据手册内容再多 也要自己看，里面包含所有的信息。没有其他捷径的。FAE只能回答一点问题，主要还是得自己去研究，实在不懂再去问。

你好，论坛中说用0.1C放电至空，这个至空是指RSOC为0吗，但是目前我用小电流放到17%时候，一节cell的电压2.8v都不到，会不会由什么影响？

你说的是循环学习里面的放空吗？   放空只是说一个在循环学习中，把一个电芯按照实际的放空，静置2小时，芯片会采集其信息。 你现在放空了电量都还有17%，很大可能是1，循环学习不成功。2，容量截止电压TERM没有设置正确。

没错，我把IT cgf里面的Term Voltage改为了12v（4cell串)，因此在电池pack电压低于12v后芯片强制把RSOC=17%显示为了0，并使TD,FD置位了。但是UpdataStatus的update0，update1都clear状态。因此学习没成功

当时是这样的，我在RSOC=17%的时候已经在用100多ma的电流放电了，感觉实在太慢了，估算显示要300多min才放完！难道真的要在bqstudio显示RSOC为0后才算真正学习成功？之所以没有用大一点的电流时因为此时一节cell电压为2700多mv，最高的一节cell仍为3300mv左右，加大负载怕损坏低电压的那节电池。

最后的问题。想请问一下TI的FAE，1.循环学习的充电是不是必须从电池为空（RSOC=0)的时候开始充，还是说只要在两次RELAX mode之间充大于37%电量静止即可？discharge是否也要放到RSOC=0?

2.之前帖子只说了学习成功后Updata Status=0x06。但是，在充完电后的relax mode中如果芯片此时读取了OCV，那么，Updata Status的最后两位是否会发生变化？

3.学习的时候充电不需要balancing？循环学习几次后可以开启CB？

4.我能否在现有基础上重新设置Voltage Term=11v，在剩余17%的基础上再放电，直到放空？还是说只能重新充满再学习了？

希望TI的员工回复一下这几个问题，这是我充放电一次，并查对数据手册扔有的疑问，相信这几个问题同样能给其他用这款IC的工程师一个借鉴

循环学习哪像你说的那么复杂，阻抗跟踪法 芯片在学习过程中，电芯不需要从0电量充电，主要在满充后静置2h期间，跟0.2c放电期间，放空静置5h期间，这段时间更新信息。

Updata Status=0x06 是以前的芯片更新状态，但是BQ40Z50-R1的不一样，完全更新状态下，是0E。

This feature is particularly useful for reducing production QMax learning cycle time or for an application
that is mostly in charge or discharge stage with infrequent relaxation. Setting IT Gauging
Configuration[FAST_QMAX_LRN] = 1 enables Fast QMax during production learning only (that is,
Update Status = 6). When setting IT Gauging Configuration[FAST_QMAX_FLD] = 1, Fast QMax is
enabled when Impedance Track is enabled and Update Status ≥ 6.

还有就是CB 跟循环次数好像没有关系吧。 据我看硬件系统图猜测，它是没有均衡功能，只能检测均衡失效功能，至于想不想开启，完全看你要不要设置。

补充一下，BQ40Z50-R1是支持均衡功能，可以在data flash里配置。

 谢谢回复。我用的是bq40z50，不是bq40z50-R1。至于放电，真的是0.2c放电吗，我觉得只是建议值吧，像我2并，3串或者4串的这么小电流不知道要放到什么时候了

谢谢回复，那请问bq40z50和bq40z50-R1到底有什么区别，数据手册上貌似也没有说明。我的是bq40z50 的EVM。至于均衡的话可以自己外部搭电路做外部均衡吗？因为我看内部的FET均衡电流只有10mA大小

bq40z50和bq40z50-R1到底有什么区别

参考：bq40z50 to bq40z50-R1 Change List

http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/battery_management/f/35/p/107924/293230.aspx#293230

我跟你说 区别大的很，芯片内部具体做了什么调整，我弄不清楚， Change List 文档写的很简单。 但是去年推出的不带R1版本的数据手册，错误连篇，很多网友抱怨数据表标志位对不上，看起来痛苦。  我直接用R1版本的 都觉得都发现数据手册2处错误，还有上位机软件操作复杂。  还有就是均衡功能 我从来不屑的，内部放电均衡 跟你说的 电流那么小，哪能补偿压差大的电芯。  我觉得唯一 的好处在于，这次用1mR采样电阻，电流测试精准多了。不像老款的 10mR电阻，大电流过去时，温漂夸张。

想问下，40z50的cell 1 power计算公式是什么，手册里面写的是根据电压和电流算？这个power除以此时的cell电压是不是就是单节的SOC.回答完我就不回复了，采纳你的回答了

你好，BQ40z50 0.12的固件和1.06版本的固件可以互用吗？

分位版本不同不建议互用。

谢谢！