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bq34z100g1 通过BQStudio软件无法修改DataMemory里的值,可以正常读写!急急急!

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

最近在调bq34z100g1碰到无法修改GG里的参数(所有参数都无法修改)这个问题,使用软件为BQStudio 1.3.52,EV2300,可以正常读,修改Data Memory里的某个数据时,输入修改后数值回车后,在BQ软件左下角出现报错提示“A read of data written failed comparion”,出现这个情况是bq34z100g1内部处于某种模式,把写操作这个功能给禁制了?还是哪里数据配置不正常?或是芯片本身坏了?

建议用示波器看一下REGIN pin的电压是否正常,尤其是在试图写data flash的时候。

Data flash can only be updated if Voltage() ≥ Flash Update OK Voltage. Flash programming current can cause
an increase in LDO dropout. The value of Flash Update OK Voltage should be selected such that the device VCC
voltage does not fall below its minimum of 2.4 V during Flash write operations. The default value of 2800 mV is
appropriate; however, for more information, refer to STEP 3: Design and Configure the Voltage Divider.

REGIN pin直接接的3.3V电压。我是打算用MCU向data flash写数据,刚开始是可以正常读写的(用BQStudio也可以正常读写的),后面不小心电路短路,把MCU烧坏了,换了个MCU后重新上电后,用BQStudio只能读,也不能写(用BQStudio操作的时候,MCU跟电量计连接管脚默认高电平)。会不会电路短路把电量计烧坏了?如果是坏了,为什么还能读取呢?并且用BQStudio发送其他指令都能发送成功,唯独写data memory出现问题?     把MCU跟电量计连接的两个pin断开,接10K上拉电阻,也是不行,下图为相关电路部分

可以尝试换个新的BQ34Z100试试看

bq34z100g1有遇到过这种情况吗?手头没有其他的芯片了,纠结

重新烧一下FW试试

FW怎么烧?不懂

原始的SREC文件有吗?重新program

flash up ok 电压默认2800mv,如果芯片检测到低于这个电池电压会禁止flash的修改, 官网有firmware下载,下载后再在bqstudio的program中选中srec program即可

你好,我现在正好用到bq34z100g1和ev2300,但装了驱动后就是识别不了ev2300,系统是win10

win 10系统与EV2300驱动不兼容,可以换操作系统或者请购EV2400(我自己的EV2300在win 7 X64也装不上驱动)

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