BQ20Z45-R1的几个问题的学习
楼主chen xuebin想使用BQ20Z45-R1设计一款电池电量控制的设备，但是对其功能以及如何使用不太明白，故发帖求助：1.芯片的休眠已经设置，电流唤醒功能也已经配置为03(10mΩ，0.5A)，但是在休眠时突然放电，放电电流大于放电过流OC DSG阈值且小于AFE OC阈值但有时需要延时约15秒才能关闭放电MOS管，但有时只需3秒左右就能关闭。注：设置OC DSG延时为默认值2秒。这是什么原因造成的？2.SLUU313A这篇应用笔记里2.7.3 Sleep Mode 中7,8两端所描述退出休眠的条件怎么不一致，Wake Function到底起不起作用？同第一个问题。3.SEAL之后的芯片，如果发现程序存在问题，能不能重新烧写？请告知步骤。
帖子链接如下所示：http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/battery_management/f/35/t/19798.aspx
TI FAE: Sheldon Cai解答了楼主的问题：1.这个可能由于休眠状态下是隔一段时间唤醒才采集电流，你可以连接电流表测试gauge的功耗，观察是否每隔一段时间电流增大（此时进行电压电流等参数测量），然后在这个电流增大后是否是固定时间保护？建议可以设置比较小的唤醒电流。通常说500mA略大3.可以，不过你要知道seal key，输入key后就可以正常使用（掉电又恢复seal状态 除非你下载一个没有seal的文件）
我们再来看看楼主的另外一个问题：1.我也认为是休眠间隔20秒检测电流造成的这么长的延时，但是如果是这个原因造成的，那么Wake Function那还有什么作用？ 好像BQ20Z45只有0.5A和1A两档电流选择唤醒，我理解的意思是只要充放电有500mA电流就能推出休眠，然后就能判断是不是过流了，那么休眠突然放电且电流大于过流阈值延迟3-4秒都能理解。
1.今天试验了一下过流是正常保护的，谢谢你的提供的方法。但是还发现如果这个电池的20Z45是新使能的(激活)的第一次进行过流保护时间会略长一些，这个是什么情况造成的？2.热敏电阻是不是应该选用TI推荐的那个型号，如果用其他规格的热敏即使改变相关参数也会有很大误差？3.在进行2A电流校准的时候，MOS管先关闭然后过几秒打开，在这过程中MOS管会很烫，应该是没有完全导通造成的，为什么会出现这种现象，我担心MOS管会热损坏。4.校准是不是推荐使用2A电流？ 实际操作电子负载串接电流表，将电流表的读书写入实际值，是这样嘛？ 还有Software Board Offset Calibration是放在电流校准前还是之后？如果校准后不充不放状态，读到的电流值不是0mA，应该怎么做？如何提高校准的成功率？
对于这个问题，我们来TI的技术人员是如何回答的吧：1.BQ20Z45只有0.5A和1A两档电流选择唤醒,这个应该是内部电压比较器进行唤醒，所以你可以结合RSNS1 = 0, RSNS0 = 1;(这样子datasheet写得是2.5mohm)，可以使降低唤醒电流数值。不过0.5A唤醒电流看是什么应用，如果是笔记本应用的话这个数值也是可以接受的。4.应该先校准CC offerset和board offset再校准电流数值。校准电流特别注意检查layout是否合理，检查有没有开尔文连接。
以上就是对于楼主使用BQ20Z45-R1 一些控制问题的回答。我们可以好好学习一下。
那么BQ20Z45-R1究竟是一款什么样子的芯片呢？我们改如何正确的使用BQ20Z45-R1 来设计电源呢。这些都是我们在设计中需要学习的问题，下面我们就一起去学习一下BQ20Z45-R1这款芯片的详细功能，如下图所示，是BQ20Z45-R1的封装结构图：
关于BQ20Z45-R1的封装，其实就是很简单的DBT 38PIN的结构，整体的设计非常简单，下面我们来看看BQ20Z45-R1的的输入输出参数，如下图所示：
如上图所示，我们可以看到BQ20Z45-R1主要是支持2-4cell的锂电池结构，最大电池容量为32000mAH,相当的不错了，额外的还有LED哦。了解了BQ20Z45-R1的这些参数，这个对我们的设计就简单多了.
下面我们再看看BQ20Z45-R1 的典型的系统结构图以及典型的应用电路图，如下所示：
BQ20Z45-R1的典型应用电路如下图所示：
下面我们看看BQ20Z45-R1的应用中需要注意的几个地方吧。首先我们需要注意BQ20Z45-R1的工作温度的范围问题，如下图所示：
然后我们还需要注意TI推荐的额定的工作电压范围，如下图所示：
我们注意一下BQ20Z45-R1的驱动部分的参数，FET驱动电压如下图所示：
不同容性负载下，驱动的上升下降时间，注意FET参数的选择问题，如下图所示：
我们再来学习一下BQ20Z45-R1的充电以及放电的计数问题，可以参考下面的描述：
注意上图中BQ20Z45-R1两个门限电压，-0.25V到0.25V。下面我们再看看关于BQ20Z45-R1的电压测量问题，如下图所示：
电流测量的问题，注意SRN,SRP以及采样电阻的阻值：
相关的功能PIN如下图所示：
注意一下BQ20Z45-R1短路以及过流保护的门限值，如下图所示：
关于BQ20Z45-R1的参数的校准问题如下所示：
关于BQ20Z45-R1的温度采样部分如下所示：
注意一下内部的温度感应的参数，如下图所示：
关于软件通讯部分的内容：
我们还需要关注一下SMBUS的通讯的时序问题，这个可以对比测试一下，很容易发现问题的，如下图所示：
关于SMBUS的相关参数，我们可以对比下面的表格，如下图所示：
关于SMBUS的相关参数2，我们可以对比下面的表格2，如下图所示：
关于SBS的相关命令，我们也需要了解一下，如下图所示：表格1.
关于SBS的相关命令如下图所示：表格2
关于SBS的扩展命令如下图所示：表格1，我们也需要注意一下：
关于SBS的扩展命令表格2，我们也需要注意一下：
以上就是关于BQ20Z45-R1的几个问题的学习，以及使用BQ20Z45-R1设计电路需要注意的一些问题，与大家分享一下。
关于BQ20Z45-R1的设计，我们其实还可以考虑这个芯片的同一个系列的另外两款，也就是BQ20Z655-R1和BQ34Z651。他们的参数基本是一致的，只是在个别的参数上面有一些细微的差异，下面就是这几款芯片的参数对比表，我们在设计的时候可以参考一下，如下图所示：
关于BQ20Z45-R1的设计，我们其实还可以参考TI提供的评估板：bq20z45EVM-001。在评估板的设计资料里面还有详细的测试波形图，我们在设计的时候可以直接参考使用。下面为bq20z45EVM-001的基本参数：
TI提供的评估板：bq20z45EVM-001。在评估板的设计资料里面还有详细的测试波形图，我们在设计的时候可以直接参考使用。下面为bq20z45EVM-001的资料的链接，如下所示：http://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/sluu329c/sluu329c.pdf。相关的PCB布局如下，我们可以直接参考：
对于原理图以及相关参数的设计，大家也可以去了解一下TI的在线设计工具WEBENCH，这个软件对我们前期的设计帮助很大，尤其是可以进行性能，成本等方面的优化，大家都可以去了解一下。
对于BQ20Z45-R1的设计，如果大家有什么问题，或者有相关经验可以分享的一下，就更好的，这些设计经验对于我们以后的设计，以及相关问题的解决都有很大帮助，尤其是定位问题，变得更加简单了。欢迎大家一起讨论。
咨询一下，怎么通过协议读取数据区的数据啊，按着资料的步骤总是不对.
你好。我刚在论坛申请的账号。看了您的帖子，非常有用。我在论坛发了一个问题：就是BQ20Z45-R1使用过程遇到的问题。经过学习后VOK没有使能。能否指点一下。谢谢。
你好。我刚在论坛申请的账号。看了您的帖子，非常有用。我在论坛发了一个问题：就是BQ20Z45-R1使用过程遇到的问题。经过学习后VOK没有使能。能否指点一下。谢谢。