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BQ34Z100-G1初次进行学习疑问

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

您好,初始使用BQ34Z100-G1进行学习,读了一些TI的文献,现有一些疑问:

1、在计算Chemistry ID时,使用Battery management studio的logging功能记录数据,但在记录过程中多次出现error,都是No acknowledge from device,这是什么原因?是否影响最终Chemistry ID计算?

2、在优化Learning cycle中,文献建议充电电流C/2,放电电流C/5。实际电路只能做到充电电流和放电电流大约C/10,这样是否可以?会不会影响学习后的精度?

3、在Learning cycle过程中,是否有必要使用Battery management studio的logging功能记录过程数据?我感觉好像Learning cycle过程就是芯片自己优化data flash寄存器的过程,记录数据是不是无用?

4、完成Learning cycle后,芯片的data flash已经完成优化。但按照文献描述,需要读取出data flash,并对其进行改写,原文如下:

1). IT enable is cleared so that the golden image can be used in mass production flow.                                通过命令关闭IT_Enable
2). Impedance Flag and Status are updated to reflect that they are learned values and not defaults.         更改update status从06改为02,对应着关闭IT_Enable
3). Learned Impedance is copied to other R tables.                                                                                               不明白复制Ra table干什么?

在改写以上内容后,将data flash重新写入芯片中,并生成Golden Image Flie用于生产。我这样的理解是否正确?第三步复制Ra table干什么用?

1、No acknowledge from device可能的原因包括通讯中断、多主机读同一I2C导致冲突等等。

如果数据缺失严重(比如缺少一分钟)则会影响ID计算。

2、如果放电只有0.1C的话太小。C/10以下、C/3以上都不合适。建议C/5左右。

3、log数据是为了方便学习不成功时回头检查原因。

4、你看的是哪个文献?Golden learning的目的是通过一两个电芯的学习更新QMAX和Ra table然后把这个结果制作一个golden image用于生产烧录到其它芯片里,其它芯片就不需要一一做golden learning了。

1、数据缺失不严重,大约30s~3min左右会出现一个错误,而且我查看数据文件,出现错误时刻也是有数据的;

2、我看了两个文献都有相关描述,一个是SLUA334B的第3章节Final Steps Before Exporting bqTester Binary Data-Flash Image

                                                             还有一个是SLUA544的第7章节Generate Golden Image 均有相关描述!

          我将其中内容截图放在附件里面了。

3、如果我的理解不正确的话,正确的操作步骤是怎么样的呢?

看了很多文件,没有一个说全了的,都是到完成learning cycle以后就结束了,后续的操作都是说明不清!

首先,进行芯片配置,根据应用参数修改data flash内容;

其次,进行calibrate,校准电流、电压和温度,最主要是电压值;

再次,按照SLUA544中说明,利用Mathcad软件计算Chenmistry ID,并update到bq studio的ChenmID list列表中,并选择该ChenmID值;

最后,按SLUA544进行learning cycle,由芯片自主学习更新data falsh中的Qmax和Ra table。点击bq studio的generate Golden Image生成文件。

在其他芯片使用时直接programming 该Golden Image文件即可。

以上是否是正确的流程呢?

如果CHEM-ID的列表中有与您的电池相对用的就不需要用mathcad进行计算。

Mathcad不是很了解的话可以通过gpcchem上传learning数据得到CHEM_ID

http://www.ti.com.cn/tool/cn/gpcchem?keyMatch=chemistry%20selection%20tool&tisearch=Search-CN-Everything

ChemID应该需要电池厂商,型号和电芯类型全部对应上吧,我更新为最新的ChemID后没有发现我现在用的电池的类型,因此只能利用MathCad进行计算了。

看了一些帖子,说是利用MathCad计算ChemID后,通过bq studio选择这一ChemID即可,即使厂家不一样,其化学特性也是一样的。

但是对于learning cycle后的处理方法还是不清楚,请高手回答

另外我在进行ChemID计算的过程中,已经完成了电池的一个充放电过程,是否可以减少甚至取消ChemID选择之后的Learning cycle过程了呢?

阻抗跟踪电量计开发流程:选择CHEM ID --> 配置参数 --> 校准 --> golden learning --> 导出量产文件golden image --> 生产(在产线上导入到其它新电池并校准、测试、复位、IT enable 、seal、出货等)。

所以learning cycle得到量产文件之后就是生产测试了。

chem ID的充放电过程不能代替learning cycle的过程,两个过程是完全不同的。

感谢您的解答!

请教一下,生产线上的产品每一个在programming烧录Golden Image后,还要重新校准,和修改data flash中的IT_Enable使能,最后再Sealed吗?

IT_Enable位能否在Golden Image中就使能好,再制作Golden Image呢,这样就不用每个单独使能了

为保证精度,通常都要求每个板在烧录golden image后校准的,要考虑板间差异。

标准做法都是最后IT Enable, reset, sealed的。当然在golden image里enable IT的也有人这么做,但我觉得不会省事,因为在烧录时已经使能的话在接下来的测试的极端情况都可能会影响电量计量,并且记录在lifetime里,你还得在出厂前清一下lifetime;而且反正最后都要发reset和seal命令的,再发多一个IT Enable也不会增加多少工作量和工时。

很有用,非常感谢

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