BQ30Z55 CUV COV OCC1参数的公差是多少？在规格书哪里有描述？

各位，请教下看看CUV  COV的参数公差是多少？

1、如2750mV，应该是2750+/-50mV还是100mV，有在哪里有描述吗？

2、OCC1 充电过流也是如此，5000mA，应该是5000+/-10mA或者多少？

3、OLD/SCC 这个位置的设置，前4位（电压）后4位（延迟），跟AFE State Control [RSNS] = 0/1有什么关系？该怎么设置？

以上，请各位大哥帮忙解决下，谢谢！

这些参数是设置的进保护的门限值，cell 电压达到CUV设置的值以后CUV旗标会举起，会进入相应的保护。

AFE State Control [RSNS] = 0/1 对应OLD/SCC 的表格不一样。

看你设置的电流保护要多大。

AFE State Control [RSNS] = 0对应的表格OLD/ SCC 的电压是 AFE State Control [RSNS] = 1 对应的表格OLD/SCC的电压的2倍。

Dear Xu，我知道CUV这些是设置的门限值，我想知道我设置的2750mV，那么我做规格书的时候，写的话应该是2750mV+/-100mV还是+/-50mV，

规格书哪里有写这个公差吗？OCC1  OCC2同理。

第二个，OLD/SCC的设置，0与1是2倍的关系，是在哪里有设置吗？

是否是Data flash 里SET 里AFE State Control  00，是指延迟和电压都是按0来设置吗？

对于BQ30Z55来说，OV/UV等都是基于软件的保护，所以它的保护精度其实就是你的电压测量精度，一般来讲，电压都是需要经过校正的，那么，典雅精度达到5mV一下是很容易的。所以一般来讲，这些基本上不存在精度问题。

同理基于软件的保护都是经过校正的，电流的精度在几个mA。

但是OLD/SCC/SCD等都是基于硬件的保护，模拟的比较器，所以保护的精度更多的是取决于外部采样电阻的精度，因为内部设置都是电压，所以你可以根据外部的电阻精度来进行设置，当然，最后是能够测试一下有一个统计的范围。

至于设置的话，在setting里面都有相应的设置，建议参考BQ30Z55的技术参考手册里面的相关部分。