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急急急,sn27546 电压校准偏差问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

请教下,sn27546可以校准电压电流,电流校准后精度没问题,而电压校准后,电压精度偏下限(BQ电压3798mV小于开路电压3800mV),

这是哪里出问题了,是设备输出不准还是校准方法不对?

你是先校电流再校电压吗?

先校正电流,电池放电,电压下降,停止放电以后电压会有回复,这时校电压电压会不准,需要静置一下。推荐先校电压再校电流。

如果怀疑是设备的问题,你可以用meter量一下校正以后电池的实际输出和设备侦测的输出有没有差异。

hi,star XU1 ,我这里指的是PCM校准,不是pack端

1.校准顺序:CC offset -boardoffset-voltage -current,

2.在电压校准的步骤如下,另外在读取RAM的电压值对时间次数有要求吗 ?

A,在B+,B-提供电压3800mV,为V1

B,从IC RAM读取BQ电压为V2

C,cell电压3800-减去RAM读取电压,为V1-V2

D,V1-V2的差值写入DF,

流程没有问题,可以检查一下,在校准过程中,V2和 v1-V2分别是多少。 

V1是否足够稳定

Wang Cheng ,感谢您的回复

我现在遇到的问题时,电流校准后,BQ电压值小于OCV电压值,会有哪些动作会影响校准结果,

读取RAM 电压值的次数&时间有要求吗?

 

Wang Cheng

请教下,如果BQ电压小于OCV电压,在校准的时候,故意做补偿,得出BQ电压接近OCV电压,这样有问题吗?

@ TI 技术人员

@ Star Xu1,

做校正的目的就是让SBS显示的电压接近OCV的实际电压。

假如OCV,3802mV,校准的时候故意校偏,使得SBS显示3800(正常应为3802mV),这样有什么影响吗?

影响不大的,比如电池放空的电压设置的3V,实际放空时是3998mV多放电2mV,充饱电压4.2V实际充饱电压4.202V

感谢你的回复!

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