急急急,sn27546 电压校准偏差问题
请教下,sn27546可以校准电压电流,电流校准后精度没问题,而电压校准后,电压精度偏下限(BQ电压3798mV小于开路电压3800mV),
这是哪里出问题了,是设备输出不准还是校准方法不对?
你是先校电流再校电压吗?
先校正电流,电池放电,电压下降,停止放电以后电压会有回复,这时校电压电压会不准,需要静置一下。推荐先校电压再校电流。
如果怀疑是设备的问题,你可以用meter量一下校正以后电池的实际输出和设备侦测的输出有没有差异。
hi,star XU1 ,我这里指的是PCM校准,不是pack端
1.校准顺序:CC offset -boardoffset-voltage -current,
2.在电压校准的步骤如下,另外在读取RAM的电压值对时间次数有要求吗 ?
A,在B+,B-提供电压3800mV,为V1
B,从IC RAM读取BQ电压为V2
C,cell电压3800-减去RAM读取电压,为V1-V2
D,V1-V2的差值写入DF,
流程没有问题,可以检查一下,在校准过程中,V2和 v1-V2分别是多少。
V1是否足够稳定
Wang Cheng ,感谢您的回复
我现在遇到的问题时,电流校准后,BQ电压值小于OCV电压值,会有哪些动作会影响校准结果,
读取RAM 电压值的次数&时间有要求吗?
Wang Cheng
请教下,如果BQ电压小于OCV电压,在校准的时候,故意做补偿,得出BQ电压接近OCV电压,这样有问题吗?
@ TI 技术人员
@ Star Xu1,
做校正的目的就是让SBS显示的电压接近OCV的实际电压。
假如OCV,3802mV,校准的时候故意校偏,使得SBS显示3800(正常应为3802mV),这样有什么影响吗?
影响不大的,比如电池放空的电压设置的3V,实际放空时是3998mV多放电2mV,充饱电压4.2V实际充饱电压4.202V
感谢你的回复!