BQ24296浪涌问题咨询

Dear supporter,

    目前，我司手机使用BQ24296M作为充电芯片，有如下几个关于问题想咨询：

      1.  规格书给出VBUS Absolute Maximum Ratings  电压为15V，是否为任何时候VBUS均不能超过15V(包括瞬态)。

      2. 由于客户浪涌测试需求等级：250V 8/20uS(测试仪器：国产 普锐马)，使用TVS (ESD5661D07)保护。现测试得到经TVS钳位以后到达VBUS端的电压为                          22V(8/20uS波形)。虽然目前的测试结果为OK，但是 由于峰值电压超出了Absolute Maximum Ratings  电压，请帮忙回复这样做是否有风险。

     3.  能否给出贵司关于Absolute Maximum Ratings 定义的相关的文档，以及浪涌器件的选型推荐。

   万分感谢！

你好

  AMR的电压为15V即我们筛选芯片的时候最低保证15V，你的电压经嵌位后达到了22V，量产自然是有风险的，无法保证每个在一定的时间能持续工作。

另外你可以考虑BQ24196，耐压会高一些。

对于BQ24296而言，由于SW管脚的耐压值只有7V，建议Vbus上选择7V左右的耐压的TVS而不是更高的

Dear Supporter,

      1.AMR定义是否可以这么理解：当施加的Stresses超过表中给出的AMR参数，就会导致永久的器件损坏，在具体电路设计中不允许施加电压（包括瞬态电压）超过           ARM参数。

     2.   请问贵司挑满足15V Stresses的器件出货，那么这里的15V 是DC Parameter，还是包括瞬态的电压（例如8/20 us EOS 浪涌造成的电压超过AMR）。

     3. 目前，使用TVS 器件为ESD5661D07 钳位电压7V ，但是随着测试浪涌等级增加 Ipp对应的电流加大，所以会导致钳位电压到22V。

     4.  能否提供我一份关于AMR参数测试的方法，发至我邮箱，万分感谢！

由于BQ24196最大充电电流较BQ24296M小，而且价格较296M贵，所以在方案上采用296M。