BQ20Z95 不工作,无法与EV2300建立通讯
第一次使用这个芯片,做的是一个4串电池组的保护板,电路图基本是按照DATASHEET来的,只是去除了二级保护和LED显示功能。
通电后,BQ20Z95貌似不能进入工作状态,REG25都没有输出,更EV2300也不能建立通讯,已经试过将P+ 和B4+ 短接了,还是不灵。
不知道问题出在哪里,急死人了,请求高手指点迷津,感激不尽!
先确认一下IC 焊接有没有问题,有没有发烫现象,再确认一下VCC,BAT有没有电压。
没有发现有哪里发烫,VCC BAT 电压都在16V左右,IC已经换过两个了,都不行。
IC我是用烙铁手工焊接的,烙铁温度300左右,这个焊接温度会把BQ20Z95烫坏么? 之前焊单片机,mos管之类的都没有发现问题。
看一下SMBC,SMBD 两个pin的电压有没有。其中一个没有电压就不能通讯。
之前换过IC看一下PCBA上的元件有没有被碰到,移位或者连锡之类的。
300度焊应该没有问题。
可以照一下X-RAY,看一下trace有没有open,或者板子上的元件有没有损坏的
SMD SMC 电压都在3.2V左右,板子的焊接肉眼看不出问题,用万用表量,IC的pin脚没发现有短路,X-RAY的话,身边没有这个条件。
请问要使BQ20Z95退出SHUTDOWN模式,是否只要VCC供电正常,然后给PACK+上一下电就可以了,还是需要符合其它什么条件?
只有一块板子是这样的问题还是所有的板子都有这个问题,
退出shutdown mode 只要用正常的电压,对PACK pin打电就可以,
通过外部charger 对pack进行小电流充电,量一下PACK pin有没有电压,有的话就说明打电成功了。
原问题已解决,原因是REG33上没有加电容所致,加上一个1UF的电容就正常了。
现在有一个新问题,由于电池组是填装式的,客户希望装上电池后马上可以使用(不需要对PACK 打电),也就是说,不让芯片进入SHUTDOWN mode。
可以实现么?怎么实现?
谢谢!
您好,正常情况下是不会进shutdown mode,只有在电池电压达到shutdown 电压或者新的IC需要烧值,这时是需要打电的。
出货时电压在正常范围不会进shutdown mode
由于电池是填装式的,用户将电池取出后,芯片就断电了,再装回电池时,芯片就会处于SHUTDOWN,需要通过PACK激活。
如何做到不用通过PACK激活?
这个shutdown mode是没有办法取消的,可以增加一个方便用户激活的方案,外围电路加一个按钮连接Pack+和battery+
能否将PACK接到VCC? 这样用户放入电池后PACK端直接有电,芯片应该可以立即激活。不知是否有不良影响?
不能,MOS管导通后,PACK电压是电池电压,会高于VCC, 导致VCC pin 击穿
在实际应用的过程中, 负载如果是感性的,Pack上的电压会出现较大的尖峰,或者反冲的电压,这样会导致VCC电压会
我不太明白,我是说将芯片的PACK端接到芯片的VCC端,也就是把他们都接到充放电MOS管的中间,芯片的PACK端电压怎么会高于VCC呢?
这种连接方式不可行,能解决电池填装以后pack通过电池的电压激活,
但是在使用的过程中,MOS关了,pack就没有办法激活IC了。
PACK接在充放电MOS的中间,就算MOS管关了,通过MOS管的寄生二极管,PACK也是会有电压的,怎么会不能激活IC的?
我现在遇到一个新问题,保护板出现过流保护,然后就恢复不了了!
与 bq Evaluation Software 还能通讯,发现PF status中的 DFETF亮红了,这个说明什么?
怎么才能让我的保护板恢复? 怎么才能让保护板在过流,负载撤销后自动恢复?
谢谢
这种接法的还会有一个问题是,电池无法进shutdown, PACK pin接在MOS中间会间接透过DFET 的body diode 连接到VP,
放电达到shutdown电压的时候,pack pin还有电压,就没有办法进shutdown,这样会被自耗电耗光电量,最后over discharge
PF status里面的旗标都是二段保护,不会自动恢复的,要恢复下reset指令,把DFETF旗标清掉。
这个旗标举起的原因是DFET 关了,但是还有电流并且大于FET fail limint门限值,延迟时间达到FET fail time, DFETF 旗标举起。
先找一下原因,为什么DMOS关了以后还会有放电电流。是MOS的问题,还是别的元件的问题。
请问 reset 指令要如何下? FET fail limint 和FET fail time 这两个值是否能改?怎么改?
能否提供一份 bq Evaluation Software 的详细使用说明? 谢谢!
MOS管本身没有问题,但由于电流较大,使用了3对MOS管并联,我怀疑并联后结电容较大,发现过流后芯片不能将MOS管及时关闭造成这个问题的。
目前从CHG, DSG到相应MOS管门极的限流电阻是5.1K的(同典型电路),请问这个电阻能否改成1K? 谢谢。
可以,
昨天试了一下,确实可以了。
但我现在有遇到新问题:客户要求电池组的瞬时脉冲输出电流达到33A,但我在bq Evaluation Software 里能设置的最大短路保护电流只有30A, 如何能将短路保护电流设置到35A? 另外,短路或过流保护之后,即使负载撤销,电池组的输出不能自行恢复,如何能让短路或过流保护可以自恢复?
谢谢!
您好,客户要求电池组的瞬时脉冲输出电流达到33A,看一下参数AFE SC Dsg Cfg是多少,
在上面的表格找到对应的值再除以R-SENSE的值就是你的短路瞬间的电流值和延迟时间。
举例:AFE SC Dsg Cfg:0X77,对应上面的表格0X07 :-0.275V/0.005欧姆(r-sense)=55A , 0X07对应延迟时间是427us
短路或过流保护之后,即使负载撤销,电池组的输出不能自行恢复,如何能让短路或过流保护可以自恢复
这个的设置可以参考Technical Reference(p164) Non-Removable Cfg (Offset 8)
谢谢您的耐心解答,
我是新手,请问如何才能将 值 写入到 SCD 寄存器中?
能否提供这份 Technical Reference 的下载地址?谢谢!
如何能将NR位 置1?
我是新手,请告知具体的设置方式,感激。。。。
http://www.ti.com.cn/cn/lit/er/sluu264a/sluu264a.pdf
DATAFLASH 参数里面有AFE SC Dsg Cfg 改这个就能修改SCD的值
看一下Technical Reference page157
Operation Cfg B 默认是6440
换成二进制对应到上面的表格,0110 0100 0100 0000
把NR改为1就变成0110 0100 0100 1000换成16进制就是0x6448
在dataflash 参数里面把Operation Cfg B 改成0x6448