BQ24105充18650电池电感以及电容怎么选

我现在使用的为L（out）10uH，C(out)10uF，R（sns）为0.1Ω，但是充电时间十分漫长，电池进入FAST阶段的电流也十分小，求大神帮忙给出L(out),C(out),R(sns)大小，或者教下我怎么计算Detailed Design Procedure ，另外还想问BQ24105输入为交流电吗？且在V(in)=16v  V（BAT）=8.4V时  I（charge）以及I（PRECHARGE）是多少？

输入肯定不能为交流电。至于具体的计算过程，PDF里面都有，你干嘛不自己认真看看？

这个pdf我是看了的，但是里面只有4.2v的，没有8.4的，而且我按照里面的数据换的L C R 但是在电池快读充电的时候还是电流十分小，达不到1A，所以才想问下的，若是知道，麻烦赐教

关于CC模式下的电流，需要确保是在CC阶段测量的。即电芯电压比较低的时候，如将电池放电到7V左右再观察此时的充电电流。

如果此时充电电流还达不到1A，那么首先要检测输入源是否能够稳定的提供这个电流，比如一些太阳能面板的输出电压会在电流比较大时大幅度的跌落，所以要测量一下输入源是否能够稳定在16V时输出1A多的电流。如果不行再调整电感，满足CCM稳态的前提下，电感是与输出电流能力成反比的，注意电感调整以后，因为内部补偿网络固定补偿LC双极点的位置在16KHZ，所以电容要按照这个极点位置更换。

首先我得供电电源可以达到要求，而且在你的提醒下我也试了，当电压小与7v时充电电流可以达到1A就，现在的问题是在其经历完fast充电过程后的慢充时间太长了，可以交下我怎么调整电感，电容，电阻的参数吗？我现在是电感10uh电容10uf电阻0.1Ω

补充一个问题：快速充电时间非常短也就只有0.5小时,可以请问怎么做改变快速充电时间以及慢充时间

楼主的电芯容量是多大，根据电芯支持的最大充电电流将cc电流设置为0.5C，CV阶段需要优化布局减少充电器输出端到电芯的连接阻抗。传统的充电模式下，CC约1/3时间，CV约2/3时间。

我的电池容量为8.4v即为两节18650电池串联，理论充电电流可以给2A我也用恒流源2A充过，但是这样对电池不好，所以我们想使用这款芯片，但是现在的问题是快充阶段时间太短，慢充时间过长，拖累了整个电池的充电时间，所以想请问怎么改变快充以及慢充的时间

需要电芯的容量信息是多少maH的,8.4V是充电电压，18650是电芯的尺寸。

慢充时间过长，首先测量CV电压是否准确，然后尽量缩短充电器到电池中间的阻抗损耗，将截止电流门限设置高一点。

我所使用的是单节2600mah的电池，cv电压不是一直在变化吗？充电器与电池阻抗已经接近最低，截止电流门限是指table4里面那个电流吗？

那么CC电流选择1.3A，参考datasheet里CC电流的设置方法，CV电压是恒定的8.4V.截止电流门限参考datasheet中的Iterm，通常它是小比率的CC电流。

现在也有个问题，充电电池在使用多次后电压达不到8.4所以我设置的CV为8.2v而且我Vin设置为12v，因为在16v是Iout 不足1'A，'Iterm不知道多少没法计算啊

所以我在计算的时候Iout取1.33Iterm取133ma算得ILPK为1.512A实际我所用的电感为10uh电容10uf电阻0.1Ω，想问下这个电容10uf应该是用普通电容才对吧？但是pdf里面用的是电解电容，请问选那个

CV电压设为8.4V,Vin应该按照设定的输入电压来，你可以提供输入电压看看是否充电效果更佳，Iterm在这个芯片里最大是200mA。

输出电容用普通的陶瓷电容就可以了。

对了，麻烦问下I（out）端和PGND之间的二极管有要求吗？一定要按照PDF文档里面的型号来吗？

现在可以完成充电，但是想问下预充电时间不可变但是快充和慢充时间怎么改变？在PDF里面这个时间都是Programmable
Safety Timer，麻烦请问怎么改变这个时间，我想提高充电时间

想问下如果当我的电池有一部分电量的时候开始充电，为什么这个时候所需时间比从没电开始充还慢，有什么方法解决吗？

在同步buck的下管并联的二极管可能有两类

1，齐纳二极管 如BQ24105 datasheet所示，其作用是钳制开关节点电压，保护芯片以及内部的开关管，因为其主要目的是保护而不是降低功耗，所以其Vf通常是比较大的，不需要其替代下管的体二极管，实际的选择中保护电压门限合适，功率合适的齐纳二极管就可以了。

关于保护功能，以开关节点开通时出现的spike电压举列：在下管关闭而上管未打开的死区时间内，电感需要通过下管的体二极管来进行续流，而当上管打开后，体二极管从导通变为截止，由于其电荷储存效应，会导致经过短暂的时间后出现一个很大的反向恢复电流变化，这个di/dt作用在下管D级到开关节点的寄生感抗导致开关节点出现一个非常大的感应电压叠加在开关节点上。同时这个电压spike也会形成一个具有丰富谐波分量的激励源，作用于围绕开关节点的RLC、LLC谐振电路产生更大的spike电压或振铃。所以对于下管，如果是分立器件，通常要求下管的vds耐压高于Vin的80%，甚至选择两倍于vin的Vds管，加这个齐纳二极管能够钳制这个spike电压。

2，我们可能还会在集成mosfet的同步buck架构的dc-dc,charger上看到的另一种下管旁路二极管是集成类软恢复的肖特基二极管，其主要目的替代下管比较长的恢复时间和比较大的正向导通压降，提供功率，同时降低反向恢复时的di/dt（除了有利于减少开关节点的sike，在遭遇EMI测试问题时也可以采取这个方法）。实际器件选择时需要采用低寄生感抗的集成型器件，Layout上尽可能近的与下管靠近，以避免因为引脚和trace的寄生感抗使得续流电流还是会优先通过下管体二极管。

Programmable Safety Timer只是作为一个安全保障措施，这个值通常在设置时会预留很大的俗量以保障在正常的充电完成都不会触发这个timer溢出。

通过TTC接的电容大小改变这个timer的时间，按照你的描述现在是可以完成充电的，即可以达到截止门限电流，那么就意味着这个timer没有溢出，可以不用改。

测量一下在CV阶段的充电电压是否为8.4V? 现在你观察到的整体充电时间从没电开始冲到充满大约是多长时间？有部分电量时（此时的电池静态端口电压是多少？）到充满是多长时间？