关于BQ24210 VTSB and TS pin
锂子电池充电电路调试阶段中，VTSB and TS两个引脚处于unconnected状态对充电阶段有无影响？要使用这个温度检测，是不是添加一个热敏电阻传感器检测电路呢？本人是第一次接触这个，原理不太清楚，麻烦大神讲解。。
悬空会导致芯片认为温度异常，从而禁止充电。不需要这个温度检测时，用10k欧姆电阻替代NTC的位置。
正常的设计时，TS脚上接偏置电阻到VTSB,下接一个NTC热敏电阻。
注意选择的NTC是要在室温下（25度）为10K欧姆电阻的类型。
非常感谢您的回复。按照TI推荐外围电路，我制作了一块，测试条件如下：
1、输入直流稳压电源6.5V,电流上限为1A;
2、设置VDPM为4.52V, 快速充电电流为0.55A;
3、未使用NTC, TS上接10K电阻接VTSB,下接10K接地；
结果并不理想：
1、空载输出电压为4.0V;
2、为3.67V的手机电池充电，测得充电电流为0.29A;
3、充了大约半个小时，取下手机电池，测得电压为3.87V
请问如何改进才能达到充电电流0.55A, 充电时芯片感觉很烫，这正常吗
1；如果电池没有插入，输出端会有一个周期性的电压来进行电压检测，见datasheet的page 18。
2‘充电的电流不够的情况下，有以下分析思路供你参考
A;电流设置电阻是否正确
B:测量BAT 的电压是低于VREG，因为电流设定的是CC模式下的电流，在进入CV模式以后电流会逐渐减少
C：测量输入电压确保DPM没有被错误的触发，因为Vbus触发以后会导致芯片自动减少充电电流
3：通常根据电池的容量规格，常常选择0.5 C左右 的CC充电比率，从而在充电效率和电池寿命权衡上取得一个最佳的效果。
CC阶段在整个充电占用的时间约为1/3.，建议你测量输入电流是多少，看看有多少电流真正的用于充电。
对于BQ24210这样的线性充电器，主要的发热源来之于中间的MOSFET，其功耗可以用输入电压和输出电压差乘以充电电流来评估
如之前提到的，看看输入电流是多少，除了芯片正常的工作电流和偏置电流以外，大部分电流应该用于充电电流。
最后建议检查一下是否从芯片的输出端到电池之间的导线太长，尽量缩短电池输出端到电池的走线，避免线组拉低了能够真正用于充电的充电电压
输入电流是0.3A, 是否指CC阶段充电电流低于这个值，我们的太阳能电池板输出电流本身就很小，希望在很小的输入电流下也能达到比较大的充电电流，这是否合理？
这个是无法实现的，充电器是线性架构或者是buck架构的开关模式时，即使忽略偏置电流，最大的充电电流也只能接近输入电流，不会超出输入源能够提供的最大电流，当充电器是boost架构时，在CCM模式下，输入电流要数倍于输出电流才能维持当前的稳定输出电流。
对于太阳电源来说 更重要的是更大效率的利用光照时间，所以相对而言选择一个合适的MPPT算法来保持工作在最大输出功率点是比在某一小段时间维持输出电流更为重要的。
从另一个角度来看这个问题，接到太阳能板后面的第一级电池是一个作为直接储备太阳能能源的电池，通常它是一个不可拆卸的电池，时刻储备收集到的太阳能能源，如果后端是一个手持式设备需要比较高效的充电时间，那么这个手持式设备的电池可以作为前端能量收集电池的负载，通过能量收集电池储备能量以后，以这个电池作为手持式设备电池的充电器输入源，那么此时是可以实现大比率的充电电流。
未使用NTC使用10k电阻取代，那么RT1的大小是根据10k电阻来带入公式计算吗？
如果是在测试过程中，为了避免温度保护误触发，用10K欧姆电阻替代NTC，温度偏置电阻按照NTC=10K欧姆来计算。
如果不打算启用NTC，那么可以参考datasheet，关于温度保护的上限门限，可以通过两个电阻的分压使得温度检测脚分得的电压在高低温保护门限的安全位置，从而省略替代NTC的10K电阻。
Michael，我用的是bq76920，如果不需要这个温度检测，也可以用10k的电阻代替ntc吗？谢谢
如果不需要温度检测，可以用10K欧姆的电阻替代NTC。
在这个芯片上TI还做了一个芯片内部的温度检测，只需要把TEMP_SEL选为0就可以不用加若任何外部器件获得芯片内部die的温度信息。建议你启用内部的温度检测。
TEMP_SEL (Bit 3): TSx_HI and TSx_LO temperature source
0 = Store internal die temperature voltage reading in TSx_HI and TSx_LO
1 = Store thermistor reading in TSx_HI and TSx_LO (all thermistor ports)
Michael ，我之前检测的温度是157.9摄氏度，我一直以为是热敏电阻坏了，然后用10k的电阻代替，发现检测的温度依然是157.9摄氏度，是不是我的bq76920坏了？
这个温度好像是芯片的温度检测到外部热敏悬空的状态，建议你先启用内部温度看看是否正常值，如果内部模式温度检测模式下正常，把TS脚其他无关的连接断开，只给偏置电流和10K欧姆电阻实验一下，特别注意TS脚的偏置电阻与芯片TS脚之间的焊接问题。谢谢！
非常感谢，Michael ，我还有个问题，激活时，出于好奇，我短接了v2，可以通讯，然后下次短接v1，就通讯不上了，只能短接v2才能通讯，这个是为什么？难道芯片有记忆？很苦恼，好像是因为这个我的温度才变得不正常。谢谢
这个需要芯片内部详细的TS1和TS2相互关系才能给一个详细的解释，可能问题也出在测试时没有接10K欧姆的限流电阻，导致在你之前的测试中，把TS到芯片内部的进行温度测量的线路烧断了。如果是这样可能会导致芯片一直认为外部的热敏是接近断开的，所以温度显示也是一个极限的低温（温度太低，热敏阻抗变得非常非常大，接近于断路）
谢谢，Michael，我使用了内部测量，温度是-273.2摄氏度，也不正常，这个应该是没有限流电阻，然后我短接v2，使得内部线路断开了吧？
从目前得到信息来看，这个可能性比较大，现在只能换芯片。
不用去买，这个芯片TI有免费的样品可以提供给客户测试，登陆my ti账号去按照流程申请就好了，样品申请链接如下
http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76920/samplebuy
Michael，外部的电流过大，烧坏测温线路，这个也影响其内部测温吗？
如果用软件读取资料时，其他参数都正常显示，那么需要考虑到如果被损坏的是外部热敏和芯片内部温度检测热敏二极管 向温度测量ADC信号传递的公用路径（因为温度测量ADC只有一个），这种情况下就会造成两个热敏都不能正常工作。
目前的情况来看 ，是建议你更换芯片。
再次谢谢你，Michael！原因应该就是这样！
Michael，还有 个情况想请你解答，bq76920上ts端的热敏电阻没坏，上位机上温度一直显示157.9摄氏度，但是对热敏电阻进行加热后，上位机显示温度在下降，如果是公用路径损坏，那么应该不会用温度变化才对？谢谢
对热敏电阻加热，温度下降的幅度大吗？
温度挺高，幅度并不大。
热敏被加热到很高也只是引起轻微的变化，可能是热通过热敏电阻传入到芯片引起的温度漂移。
因该是这样，还有一个问题想请教，由于温度检测损坏，所以温度一直为157.9摄氏度，被认为是过温，在充电时，上位机显示chg与dsg未被激活，但是我在充电的时候为什么仍然可以冲进去，电流为200ma左右，chg与dsg fet不应该关闭吗？谢谢
电流固定在200mA？ 量测实际电路上的C /D控制电压是多少？可否麻烦你把实际用的电路图（围绕这一块）截取个图发上来，谢谢！
Michael，电流基本在160-200ma左右，24v充电时，上位机寄存器中显示充放电禁止，但还是能充进去。