关于电量计BQ34Z100的几点疑问，求解答

目前正在摸索用单片机I2C接口与电量计进行参数设置，有以下疑问：

疑问一：模式转换

seal-unseal,unseal-full模式之间的转换，是向寄存器0x00依次写入4个数据（0xffffffff），还是先向0x00，0x01分别写入0xff后，再次向0x00，0x01分别写入0xff？

为什么我读0x00寄存器的状态一直是0x0004

疑问二：data flash写入

能够读相应位置的data flash数据，也能够通过BLOCKDATA（）向32位块FLASH空间写数据，但是不能改变相应位置的data flash数据的值，请问checksum怎么生成？

1.http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/battery_management/f/35/t/46539.aspx  这个问题在链接的帖子有描述还有波形参考，向0x00写入0xff，0xff再向0x01写入0xff，0xff

2.建议采用上位机EVSW配合EV2300/2400进行参数设置，上位机会自动计算checksum数值。单片机checksum可以参考下面的描述

This byte contains the checksum on the 32 bytes of block data read or written to data flash.
The least-significant byte of the sum of the data bytes written must be complemented ( [255 – x] , for x the 8-bit
summation of the BlockData() (0x40 to 0x5F) on a byte-by-byte basis.) before being written to 0x60.

我也遇到这个问题了：

This byte contains the checksum on the 32 bytes of block data read or written to data flash.
The least-significant byte of the sum of the data bytes written must be complemented ( [255 – x] , for x the 8-bit
summation of the BlockData() (0x40 to 0x5F) on a byte-by-byte basis.) before being written to 0x60.

这是手册上的一段话，我按照这个做了，但是值并没有改变啊。

关于dataflash 内容的修改，可以参照http://www.ti.com/lit/ug/sluuac9/sluuac9.pdf 的page11。

里面可以参照计算方法，和过程，对应的寄存器的值需要和bq34z100对照。

您好，按照你说的方法，成功把DesignedCapacity这个值改变了，谢谢你。

我用的是BQ27742-G1，又遇到了一个问题：

 FETTest( ): 0x74 and 0x75这个命令，我想把CHG和DSG对应的FET 都打开，

就给0x74赋0x00

         0x75赋0x83，

执行START_FET_TEST后，

0x74状态位仍然是0x00，0x75变成0x01,但是用电表测量后发现两个FET都没有电压。请问这是什么原因？