bq34z100FLASH写入问题

  自编程序通过I2C接口与bq34z100进行读写操作，想更改Data Flash中“Design Capacity”的值，程序操作如下：

1.向BlockDataControl()写0x00;

2.向DataFlashClass()写0x30;

3.向DataFlashBlock()写0x00;

4.通过BlockData()读地址0x55的2个字节数据，数据值与Data Flash中的默认值1000一致，通过BlockData()向地址0x55写入2个字节数据0x15,0x00,再次通过BlockData()读地址0x55的2个字节数据，数据与写入的2个字节一致（0x15,0x00）,但是通过命令DesignCapacity()读取发现值仍为默认值1000，并没有更改。

请问我上述的操作未能成功更改Flash Data的值问题出在哪？哪个校验码函数BlockDataCheckSum()怎么用？

转 电池管理

Checksum 没有写入导致修改不成功。

可以参照第10步的方法计算Checksum。并写入到0x60中。