关于TPS259401芯片的使用疑惑

我看了这款芯片非常适合我们设计的电路，关于TPS259401还有几个疑惑，我要设立欠压阀值是1.6V,过压3.2V，怎么算啊？V（OVPR）=R3*V(OV)/(R1+R2+R3) 和V(ENR)=（R2+R3）*V（UV）/(R1+R2+R3) 这个是什么啊？那个短路启动时间公式好像也没给啊？还有Devslp、FLT、PGood 、Imon是起什么功能啊 ？datasheet中举例的图的health monitor、load monitor和DEVSLP 到底什么作用？这几个怎么接啊？求仔细的教导 啊，诚恳虚心请教。

型号应该是: TPS25940L 吧?

在图的讲解部分, 确实没有说明 V（OVPR）, V(ENR) 的含义, 但是在 7.5 Electrical Characteristics 有说明.

V(ENR) EN/UVLO threshold voltage, rising

V(OVPR)  Overvoltage Threshold Voltage,Rising,

再把手册看得仔细一点吧

您好，关于您的问题，有几点需要确定：

是TPS259401还是TPS25940L？  TPS25940L是我们的efuse电路。

欠压阈值1.6V是不是必须的？请确认我们芯片的工作电压范围是否满足要求。

请给出具体的应用背景和指标，再帮您确认是否满足要求。

是你们的efuse,TPS25940A,这款功能完全符合我们项目组要求啊，它可以反向电压截止。我们选定这款芯片了，现在就是还不知道具体怎么应用啊？我要的是欠压保护石1.6v,过压是3.2V，这个efuse的过流和过压和欠压值都是可以自己设定的，但是公式我没看懂啊？上面就是贴的问题，还有PGTH 、dvdt、 FLT功能怎么用啊？还有过流保护时间都没具体给啊。 诚恳求指导。谢谢啊

我又看了一遍, start up time 与inrush current  limit 是什么啊？ 还有Tdvdt是什么啊啊？IMON和Devsleep 和FLT是什么功能是不是反馈信号？

start up time: 启动时间

inrush current limited：输入浪涌电流限制

dvdt：输出电压上升斜率

IMON：电流监控

Devsleep：使能休眠，使能休眠，efuse就不工作了

FLT：错误使能， 若芯片发生过流过压欠压等保护时，这个引脚会输出低电平。

注意efuse的工作原理框图，efuse的负载通常会有电容，在上电的时候，需要控制流过efuse的电流，否则在上电一瞬间会导致efuse过载。inrush current limited，dvdt就是用来避免上电瞬间过载的。

IMON上接个电阻，电阻上的电压会和流过efuse的电流成比例，这样检测电阻上电压就可以反应efuse的电流了

谢谢。

        不好意思有打扰你了，PGOOD和PGTH有什么作用？根据手册，我要不用引脚Pgood和FLT就可以接地，R4、R6、R7也不需要了；那PGTH不用它反馈什么信号，那R5也不需要了？IMON是必需的吧？我理解的对吗？

       我要这个芯片的功能就是欠压、过压、过流、热保护和反向保护，还有就是你说的上电的一瞬间不让efuse过载，我不要他们反馈什么故障信号，所以不用的引脚就尽量不用，所以尽量少接元器件。

         还有dvdt接的那个电容怎么计算我还没理解啊？上电瞬间也很高的浪涌电流和电压，那个电容是来吸收浪涌的电流的吗？这个比I(fastrip)大的浪涌电流怎么处理以至于让efuse不过载？我的理解就是让浪涌电流持续时间小于过流保护时间，对吗？我看后面的计算怎么跟热扯上关系了？t is important to determine the right start-up time and in-rush current limit required with system capacitance to avoid thermal shutdown during start-up with and without load.这句话不是很理解？ 

      虚心诚恳求大神指点啊。

还有Tdvdt在EN/UVLO ↑ to V (OUT) = 11 V, with C (dVdT) = 1 nF时候是0.97ms ,而t FASTRIP(dly)是200ns,   这不是让浪涌引起efuse负载关闭吗？我没理解，请教你们。

您好，PGTH用于设置输出电压正常的阈值，PGOOD用于指示输出电压正常。这两个东西主要用于上电时序控制。

IMON是用于监测输出电流，不监测电流这个功能就用不上，但是这个功能在调试的时候非常有用，无需电流探头就可以观察到浪涌电流。

DVDT电容不是吸收浪涌的，而用来定义输出电压上升斜率用的。内部1uA电流对这个电容充电，电容上电压缓慢上升，输出电压是这个电压上升的12倍。由于输出电压缓慢上升，输出电容一定，那么浪涌电流就变小了，记住公式C*U = I * t, 可以解决你的问题。

因为在上电的时候，加在efuse上的电压较高，电流较大，有可能导致MOS工作超出安全工作区SOA，所以不单做电流，电压保护，也需要做功率保护。

建议第一版尽可能保留这些元件，用于调试。调试成功后再决定需不需要这些元件。

谢谢。

哦

For 7.2 W of power loss, the thermal shut down time of the device should not be less than the ramp-up time t dVdT to avoid the false trip at maximum operating temperature ，就是这个怎么保护瞬态不让EFUSE过载的啊。还没懂 ？求详解啊他怎么和热扯上关系了啊？我觉得应该是浪涌持续时间小于过流保护时间就OK了啊？

求仔细讲解。

您好，就是芯片由于功耗较高，会导致芯片内部发热，发热升高的温度和芯片损耗与时间都有关系。

从图57可以看出，芯片损耗越高，芯片内部升高到比如85°的时间就越短。一旦芯片超过温度，就会进入热保护而关断输出。

一旦芯片的输出稳定，输出几乎等于输入电压后，芯片的损耗是很小的，容易发生热保护的情况是输出在以一定速率上升的那段区间里面。

所以，对于一定功率损耗下，达到热保护的时间，也就是在这个损耗下，芯片温度升高到比如85°的时间，要大于芯片完全导通的时间。从而保证在输出电压上升期间，芯片不会热保护。

谢谢。

那DEVSLP这个引脚不用怎么接啊？还有IMON能不能不用啊？PGTH具体起什么作用？我就是要欠压，过压，反接，过流保护？DEVSLP和IMON和PGTH能不要吗？反正FLT和PDOOD可以不用。还有就是dvdt是不是防止电源接通瞬间的浪涌让efuse瞬间的负载太大而关闭啊？

求解啊，真心求解啊  ，特别是dvdt，和接它的那个电容，含义和作用还没弄清啊？

您好，关于你的疑问，你可以分为几个步骤来搞懂

dvdt就是对输出电压求微分，斜坡信号的微分是一个定值

1.电流源对电容充电，电容上的电压是线性上升的，由公式U=It/C计算可得，U为电容电压，I为对电容的充电电流，t为充电时间，C为控制dvdt的电容。

2.将产生在C上的随着时间线性上升的电压放大一个系数，放大后的波形的斜率是电容上电压斜率的倍数关系

3.放大后的上升斜率就是最终输出电压的上升斜率。

通俗一点讲就是控制输出电压从零变化到与输入电压一样中间经历的时间，因为斜率越大，电压上升越快，也就是dvdt更大。

这个电容的作用就是控制输出电压的上升斜率。实际就是控制输出电压线性上升到最终电压的时间。

还有最后几个疑惑真心求解啊：

        ①那DEVSLP这个引脚不用怎么接啊？

        ②我就是要欠压，过压，反接，过流保护，还有IMON能不能不用啊？PGTH具体起什么作用？DEVSLP和IMON和PGTH能不要吗？反正FLT和PDOOD可以不用？

        ③还有就是dvdt与防止电源接通瞬间的浪涌让efuse瞬间的负载太大而关闭没关系吧？

V(DEVSLP) = V(PGTH)= 0 V

PGOOD = FLT = IMON = OPEN

dvdt太小会导致浪涌较高，dvdt太大会导致芯片温度在上电时升高，所以dvdt是需要约束的。

谢谢。