TI MOSFET 晶体管器件

    最近德州仪器 (TI) 公司推出了一系列金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET 器件. 目前电压等级 VDS 从最低 12V 到 100V. 大都采用新型高散热能力的小型封装, 包括 LGA 1.0 x 0.6mm,SO-8,SON2x2,SON3x3 Dual Cool,SON3x3,SON5x6 Dual Cool,SON5x6,TO-220,WLP1.7x2.3,WLP 1.0x1.0,WLP 1.0x1.5。 其中
 P 沟道 (PMOS) 开关是 P 通道增强型模式 MOSFET，为了满足电池供电系统的 3V 或者 5V 配电应用而进行了优化。
而 N 沟道的 NexFET 功率 MOSFET 技术可以为相同的阻抗提供二分之一的栅电荷，以便设计人员能够实现 90% 的供电效率并使频率加倍，是个性能相当不错的功率开关器件。
    此后, 开关电源等一些需要外部功率开关器件的设计, 也可以在 TI 一站式完成 BOM 采购.
    小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装

    要获得更多信息请访问 http://www.ti.com.cn/mosfet

有没有热设计的文档？如何合理散热？

Vgs最低开启电压能到多少  有优势没有？

开关速度怎么样    最大电流是多少     这都是我们要考虑的

还有P沟道的话     价格有优势没？