Bq20z45 LifeTime 数据如何更改

在我们生产中发现了一个很奇怪的现象：

       我们生产中会检查 life time 数据，发现有一些数据很低，比如：

                     Lifetime Max Cell Voltage = 1500

      但正常情况下应该为: 3600     

我们尝试用 EV2300 将其修改为 3600

但过了一段时间后，又会自动变为 1500

使用基准的DFI文件写入，当时是3600， 过一段时间后也会变为  1500

只能写 Senc 文件，这样才可以稳定在 3600

但是用 EV2300写 Senc文件在产线上操作比较麻烦

请问各位同仁是否有解决方法

另外请问：

 Ti官网有 DFI编程指南， 是否有 Senc 编程智南

SENC是TI加密格式，包含IF和DF，写起来比较花时间。lifetime max cell voltage是会更新的，生产时，连接到芯片电压检测端的实际电压是多少？有没有接近1500mV的电压，DFI内容就是DF，确认下芯片的firmware版本和你之前导入的DFI版本是否一致，一致的话，写DFI和SENC没有区别。

 我们在PCB生产时是这样安排的，会先确认下芯片的firmware版本和之前导入的DFI版本， 一致的话才写DFI

 实际用到的电芯电压也都大于 3700mV。 理论上来说不会出现 lifetime max cell voltage= 1500 的情况。

 但在以下特殊情况下可能会出现此问题：

      1. 假设有一 Bq20z45 芯片 在使能 阻抗跟踪后 (QEN 置位)，出现过电池电压很低的情况，此时 lifetime max cell voltage 会更新为低电压值，假设为 1500mV

      2. 测试发现了此 Bq20z45 的 lifetime max cell voltage  异常， 将其退回供应商返修

      3. 供应商重新编程 DFI ， 并且检测正常，包括 lifetime max cell voltage 也正常

       4.供应商返回给客户，客户检查 lifetime max cell voltage 正常，然后装成成品，使能 阻抗跟踪 (QEN 置位)，过一段时间后， lifetime max cell voltage 会自动更新为 1500mV

有没有方法可以防止此问题发生 (类似的情况还有 Seal 模式)

如果确认DFI和SENC写的都是相同的flash data，建议针对不良品做测试，追踪下LIFETIME MAX CELL VOLTAGE的变化状况，可以使用BQEVSW记录所有SBS数据，定时导出gg文件，所谓的LIFETIME自动变化应该还是满足了一定的更新条件，找到这些更新条件，在测试端可以优先改善测试条件，不行再考虑规避方案。