bq28550-r1相关问题

bq28550具有监测和保护功能，保护功能是不是不需要软件干预，硬件就可以完成啊？

我的板子焊完了，还没有编程，想先通电测试一下保护部分，可以吗？

常规的锂电池安全保护都是基于硬件的，可以没有编程的情况下测试这个板子的锂电池常规保护的部分。

请问，图片中的例子Subclass ID (576) + Offset (13)是怎么得出来的。

编程时，低电压阈值写入的是一个范围还是一个数值？

这个很简单的，你在TRM上找到对应的需要修改值的Row Location, Hex Address: 0x0112 ，因为0x01YY这个SBS  data中只有YY后两位才是表示row号码的，所以根据16进制可以知道 此时的row号码为18，那么乘以每个row中的32列 即可以得到18*32=576 ，这里注意因为offset是从subclass那个行的第一位为基准来算偏移量，所以在TRM中查到的bit offset要减1，即得到13。所以实际uv条件存放的位置就是576+13=589.

低电压阀值是一个确定的值，根据你的电池特性选择,一般锂电池选择3V.

0x0112中的后两位12表示的是18row，offset 13在编程时好像没用到是吗？

例子的作用是写低电压阈值，写数据顺序是什么？

0x2f指令的作用是什么？

0x12=16*1+2=18 ，offset13是用来找到UV条件在18行的哪一列，是有用的。

先找到对应的行，将行的数据读出来以后修改对应offset的值，再将修改过的行写入。见TRM的page 58。

0x2f的作用就是block的读,可以用这个命令来多多个字节的数据，而不是单个字节。因为Smbus没有i2c的Multe-byte read和write，所以是用block write和read来实现对多个数据访问的。在调用这个函数时，除了给command,还要给byte counter设置操作的byte数，比如示列中的32.

如果我想改变欠压阈值，编程思想是：

S（开始） 从地址+写 A（应答） 0x00（命令码） A   0x112（行地址）   A

S（开始） 从地址+读 A（应答） 0x2F（命令码） A   S（开始） 从地址+写 A（应答） Data Byte（长度32）

改变对应偏移量的值

S（开始） 从地址+写 A（应答） 0x00（命令码） A   0x112（行地址）   A    修改过后的Data Byte（每发送一个字节产生一次应答）