BQ26501的读写是从低位开始的还是高位？

谁用过BQ26501这个芯片，datasheet了好像没说读写位的事，谁用过帮我看看，顺便求下HDQ的编写源码，谢谢了。。。。。

求大神啊~~~~急急急~~~~~~~

虽然不是大神，关于你的问题 还是据我所知道的信息给你一些资源参考，希望能够对你有帮助

关于HDQ通讯的问题，首先建议你参考论坛中提供的HDQ通讯基础资料

http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/battery_management/f/35/t/14046.aspx

参考代码的部分请你参阅TI提供的430单片机与各种接口的gas gauge芯片通讯的参考代码（见链接中的zip文件，解压缩后参考430单片机与采用HDQ接口的gas gauge芯片通讯的代码）

http://www.ti.com.cn/analog/cn/docs/litabsmultiplefilelist.tsp?literatureNumber=slva413a&docCategoryId=1&familyId=412

刚看了下用430写的时序，发现跟我的时序差不多，但设置断点时仿真看到的值不对，不知道什么原因。求指点啊~~~~

void BQ26501_break(void) {    BR;    delay_us(50);    B;    delay_us(200);    BR;    delay_us(50); }

void BQ26501_WRBYT(unsigned char wdata) {   unsigned char i;    DWOUT();   delay_us(200);   BQ26501_break();   HW0;   delay_us(95);   for(i=0;i<8;i++)   {    if(wdata&0x01)  {    HW1;    delay_us(20);  }    else  {    HW0;    delay_us(100);  }   wdata>>=0x01;    }     HW1;  delay_us(200); }

void BQ26501_WRbyte(unsigned int data,unsigned char addr) {   unsigned char i;   BQ26501_WRBYT(0x80|addr);   for(i=0;i<8;i++)   {    if(data&0x01)  {    HW1;  delay_us(20);  }    else  {    HW0;    delay_us(100);  }  delay_us(20);  data>>=0x01;    }     HW1;  delay_us(200); }

unsigned char BQ26501_RDbyte(unsigned int addr) {   unsigned char i;   unsigned char rdata;   BQ26501_WRBYT(0xfe&addr);  // DWOUT();  // delay_us(200);  // HW1;  // delay_us(200);   DWIN();   for(i=0;i<8;i++)   {    rdata>>=0x01;    if(DW)  {    rdata|=0x01;    delay_us(40);  }  else   delay_us(100);   }   delay_us(200);   DWOUT();   return(rdata); }

void  Temp(void) {   unsigned char H,L,H0,H1,L0,L1;    L = BQ26501_RDbyte(0x06);    delay_us(100);    H = BQ26501_RDbyte(0x07);    delay_us(100);  /*  H1 = BQ26501_RDbyte(0x06);    delay_us(100);    L1 = BQ26501_RDbyte(0x07);    delay_us(100);   if(H1==H0)   {    H = H0;    L = L0;   }   else   {    H = H1;    L = L1;   }   delay_us(100);     */ }

上面是源码，求大神指点帮我看看。急~~~~