BQ20Z45-R1的几个问题请教

1.芯片的休眠已经设置，电流唤醒功能也已经配置为03(10mΩ，0.5A)，但是在休眠时突然放电，放电电流大于放电过流OC DSG阈值且小于AFE OC阈值但有时需要延时约15秒才能关闭放电MOS管，但有时只需3秒左右就能关闭。注：设置OC DSG延时为默认值2秒。这是什么原因造成的？

2.SLUU313A这篇应用笔记里2.7.3 Sleep Mode 中7,8两端所描述退出休眠的条件怎么不一致，Wake Function到底起不起作用？同第一个问题。

3.SEAL之后的芯片，如果发现程序存在问题，能不能重新烧写？请告知步骤。

盼复，谢谢。

1.这个可能由于休眠状态下是隔一段时间唤醒才采集电流，你可以连接电流表测试gauge的功耗，观察是否每隔一段时间电流增大（此时进行电压电流等参数测量），然后在这个电流增大后是否是固定时间保护？建议可以设置比较小的唤醒电流。通常说500mA略大

3.可以，不过你要知道seal key，输入key后就可以正常使用（掉电又恢复seal状态 除非你下载一个没有seal的文件）

TKS!

1.我也认为是休眠间隔20秒检测电流造成的这么长的延时，但是如果是这个原因造成的，那么Wake Function那还有什么作用？ 好像BQ20Z45只有0.5A和1A两档电流选择唤醒，我理解的意思是只要充放电有500mA电流就能推出休眠，然后就能判断是不是过流了，那么休眠突然放电且电流大于过流阈值延迟3-4秒都能理解。

3.我再去试试，感谢。

1.今天试验了一下过流是正常保护的，谢谢你的提供的方法。但是还发现如果这个电池的20Z45是新使能的(激活)的第一次进行过流保护时间会略长一些，这个是什么情况造成的？

2.热敏电阻是不是应该选用TI推荐的那个型号，如果用其他规格的热敏即使改变相关参数也会有很大误差？

3.在进行2A电流校准的时候，MOS管先关闭然后过几秒打开，在这过程中MOS管会很烫，应该是没有完全导通造成的，为什么会出现这种现象，我担心MOS管会热损坏。

4.校准是不是推荐使用2A电流？ 实际操作电子负载串接电流表，将电流表的读书写入实际值，是这样嘛？ 还有Software Board Offset Calibration是放在电流校准前还是之后？如果校准后不充不放状态，读到的电流值不是0mA，应该怎么做？如何提高校准的成功率？

盼复，谢谢。

1.BQ20Z45只有0.5A和1A两档电流选择唤醒,这个应该是内部电压比较器进行唤醒，所以你可以结合RSNS1 = 0, RSNS0 = 1;(这样子datasheet写得是2.5mohm)，可以使降低唤醒电流数值。不过0.5A唤醒电流看是什么应用，如果是笔记本应用的话这个数值也是可以接受的。

4.应该先校准CC offerset和board offset再校准电流数值。校准电流特别注意检查layout是否合理，检查有没有开尔文连接。