BQ2060A是怎样通过一只n-JFET供电的？

BQ2060A是怎样通过一只n-JFET供电的？有人能从原理上解释吗？（我手册里头没有找到具体的原理），是PWM调节吗？

下图中的BAT+应该接第几节电池？Vds之间的电压最大可以到几伏？

如果我用一只3.3V的LDO供电可以吗？

这个n jfet加在这个电路中就是类似一个LDO了，因为我们的reg输出使得VCC得到一个固定的电压，所以通过查阅n-jfet的输出特性表可以了解其在这个线性放大区域时的输出电压范围了，bat接bq2060A管理的电池组的最高端正极，这样可以尽量的保证给BQ2060A足够的供电。VD_S之间的电压在选择的时候我们需要保证在整体的电池组最高电压的基础上再保留一定的俗量以策安全。如果你使用3.3V的LDO固然可以（即不需要reg做驱动门极电压了），但是我们的架构已经做了一个LDo，您弃之不用的情况下，一个是浪费了芯片的资源，第二一个增加了成本，因为一个jfet要比ldo便宜。

这只n-jfet是工作在欧姆电阻区还是饱和区？

工作在g-s的线性放大区，如果工作在饱和区那就类似于开关了，即简单的on/off，这样它就失去了电压调节的作用了。

对于3节锂离子电池 4.2*3=12.6  ，JFET调节后输出3.3V，那么Vds=12.6-3.3=9.3V

我查了SST113的输出特性曲线图，都工作在了饱和区了

可能由于描述语言使用的问题，给你还是造成一些困惑，那么我详细的给你描述一下这个N-fet在这个电路中工作的详细状况，我们知道njfet在vgs为0的时候，DS之间的电压会控制D与gate级之间的PN反偏，耗尽层扩大，至DS电压大于预夹断门限电压以后，此时虽然已经夹断，但由于夹断处的场强也非常大，所以能将电子从N型材料中通过夹断区强行拉至D极，形成ID,此时的漏电流就等于饱和电流，因此此时Id可以大致认为将不随DS电压增加而增加。那么从另一个方面我们观察Vgs对N-jfet的影响，此时gs之间将gate与source之间的pn节反偏，从而使得中间的耗尽层增加，当gs电压差（负值）绝对值越大则gate极两端的耗尽层越大，从而限制了Id的流动，直至gs电压达到一定的门限电压Vp（gs 夹断电压）则完全阻止了ID的流动，所以我之前讲到的内容是主要指针对gs的电压工作在这个区域，即没有使得gs电压达到vp这个夹断门限值，因为此时它就是一个off的状态，类似于开关了。总结起来，ds电压可以工作于其夹断区以后（针对你提供的图表），因为大的场强会强制形成漏极电流，而我们说到的控制作用主要是调节vgs的电压使得其在小于gs夹断电压vp的那一段区域内，从而控制ID的大小（根据你提供的输出特性曲线图）。所以我之前将gs小于Vp的这个区域表示为线性放大区，虽然不是很精确但是它体现了gs对ID的控制作用，当gs（绝对值）大于vp以后则我表述为饱和区（我并不是指DS的饱和区，而是指gs达到夹断门限后）.

简单总结起来，我们可以从输出特性曲线上可以看到，当VDS固定以后，我们改变gs的电压就能得到不同的ID。了解了这个我们来分析这个应用中njfet到底是如何使得输出得到一个稳定电压的，我们可以从以下给你画的简单线性电压调整器框架结构了解其原理(我只是给您描述一下简单的框架，实际的线性电源还需要包括一些驱动以及反馈补偿的部分）。

从这个原理图我们可以看到输出电压经过采样电阻的比例衰减后与ref的差进过误差放大器得到驱动jfet的gate信号，当由负载变化引起输出电压变动时，由于我们会建立一个负反馈的过程，所以我们会将gate的电压升高，从而使得其与s之间的电压差变小，而从njfet的输出特性曲线上，我们可以看到此时将允许更大的Id流过即整个njfet的阻抗将变小一点，使得输出电压稳定。此外从原理上我们可以看到芯片内部的VCC部分内部可以实现相关模块的连接 而在外部则不需要有其他的器件，即在bq2060A外部不需要有任何其他的器件既可以完成整个线性电压调整器的设计。

以上请参考，希望对你有所帮助！