tas5731m PBTL模式

请问tas5731m PBTL模式下，寄存器怎么配置？

项目比较紧急，盼ti的技术专家回复。谢谢！

你好：

有如下两个配置要做：

1.PBTL PIN =HIGH

2.配置0x25寄存器为: 01 00 22 45

Flora Wang:

      谢谢您的回复，

     其实我现在是PBTL遇到问题了，

     我用的是 30w 8欧 @24v ，用正弦波1k测试，上电直接满功率（30W输出，0x07寄存器写入了0x2a（+3db）），功放会保护（无声），用EVM读取 0x25，发现原来配置的 01 00 22 45已经变成了 01 3e 22 45。 我先用 0db上电，然后再调到+3db，可以长时间无问题（+3db才达到30W）。

    我的配置如下 ：

      0x1b 写入 0x00

      延时约50ms

      0x10 写入 0x07

      0x25 写入 0x01 0x00 0x22 0x45

      0x51 写入 0x00 0x40 0x00 0x00 0x00 0x40 0x00 0x00 0x00 0x00 0x00 0x00

      0x50 写入 0x00

     附件是tas5731m部分的原理图

初始化tas5731m以后，以后只会改写0x07寄存器。

另外：上电满功率输出（+3db）不接负载，0x25读出的数值和配置的一致，但是只要把负载一接，马上变为了 01 3e 22 45.

还是没有得到解决方法，

恳请各位帮忙。

最后降低了功率，没有办法。

上电软启动，也许可以解决你的问题，就是上电后缓慢的增大音量，直到你设定的输出音量。很多的音响都有这个功能，因为上电瞬间会有冲击电流，如果PCB设计不合理的话，容易导致芯片复位。

Jason:

   谢谢您的建议，我们也考虑了，但是在上电以后的中间，如果从静音调一下子调到最大音量（1khz 0db）也会出现这样的情况。可能都需要做音量缓慢调节。

你好：

出现这样的情况，应该是PVDD的去耦不够强，导致音量突变的时候，冲击过大，使芯片保护了。

你得检查一下PVDD是否有spike，加强稳压。可以看一下EVM的layout。PVDD的去耦电容到地的时候找最短路径，不要有过孔。

Flora:

     谢谢，

     PVDD我们用示波器量了，电源稳定也没有毛刺，没有出现拉低的情况。PCB的方面我们后续会注意。谢谢！