有关lme49830驱动2欧姆负载的问题

TI的工程师您好！本人按照贵司的LME49830的参考电路做了一台功放，电源电压+-50V，输出级是2并管，NMOS为飞兆的FQA44N10，PMOS为IR的IRF5210,MOS管驱动电阻为47欧姆，加载4欧姆时可以扫到10%THD+N为210W，在加载2欧姆扫功率曲线时大概扫到80W左右就烧了NMOS，麻烦能帮忙分析一下原因，谢谢！

你好：

是不是你的NMOS电流不够？换个大点的试过没？

还有发热吗？

4omhs可以正常工作就证明电路正常，芯片正常。

IRF5210参数

您好  谢谢您的回复 

但是从电流看应该是够的，irf5210的参数4442.IRF5210.pdf，fqa44n10的参数7774.FQP44N10.pdf，况且4ohm时210W的电流比2ohm时的80W电流还大，贵公司的工程师有做过这个IC做的DEMO板做过2ohm的测试吗？都需要注意哪些问题呢？实在是想不通，麻烦帮忙分析一下，谢谢

你好：

我们这个芯片没有demo板。这个芯片比较老了，所以我也不太熟悉。

我在想是不是MOS管质量问题，带有一定的偶然因素，80W烧了，210W还没有烧。我觉得MOS管买到有质量问题的机会还是比较大的。

你的电路图对吗？