DRV8301

我现在用的DRV8301出现的问题是 过流保护很严重，我设置保护门限大了，就好了。但是现在我发现我使用的驱动电机额定功率800W 额定电流20A 48V的电机驱动有问题：MOS管用的是60V 120的。按照原理来说，我门限最大2.几V应该是很大的电流门限。

过流保护采样Vds时，我们没有办法保证像采Rsense那样准确，因为MOS本身内阻的变化范围比较大，同时layout时采样线包围的寄生阻抗和感抗都非常大，所有没有必要纠结OCP的实际值和理论计算不一样，因为我们理论计算的忽略因数太多了，这也是手册不给出OCP点电流计算值的公式的原因，因为实际上没有这样一个公式。手册给出的OCP电压值是内部实际用的比较电压，这个是一个很好的参考，实际使用中保证通过调节这个电压，可以正确的区分正常工作和过流保护的情形就可以了。当然，如果板子的设计，电流噪声很大，这个值就会要设计的很高，甚至有可能起不到真正的电流保护作用，这时候就需要仔细审查layout重新设计硬件了。

我们有很多个板子都是基于DRV8301的，EVM， reference design 还有 boostpack ， 官方的layout设计很值得参考

也就是说，我现在的LAYOUT有问题么？

你好！我想请教一个问题，我的板出现nFAULT 一直为低电平，nOCTW为高电平，PWRGD为高电平的情况，测量电压AVDD=6.64V DVDD=3.34V GVDD=11.27V ，nOCTW为高表明过流，请教一下是什么原因？另外，我用的IRF260 QG（MAX）=230，230*6*21K=30 意思是不是说只能在20K范围以下工作？