调试DRV8301时，遇到的几个问题

1、使用过程中感觉DRV8301极其的脆弱，感觉非常容易损坏。参照官方推荐的电路设计了PCB，自己焊接了两块，交由专业焊接公司机贴了两块，自己焊接的两块板子上4片DRV8301（每块板子有使用两片DRV8301）全部损坏，焊接公司焊接的两块板子中也有一片DRV8301上电初始化后一直告警欠压（GVDD_UV）；

2、当电源电压低于24V时，芯片就工作不正常，无法驱动电机（电机额定工作电压为36V）；

3、过流保护不起作用，将8301内部OC_ADJ_SET寄存器设置为20时，启动电机，发现将DRV8301损坏了，而MOSFET却都正常，根据外部运放设计的检测回路，实际也没有到达预设保护的电流值；

4、当给DRV8301初始化时，发现SDO引脚输出的信号一直为高电平，无法读出数据；

5、当PCB板驱动同时两路电机时，其中的一片DRV8301会频繁告警，其状态寄存器的GVDD_OV、PVDD_UV、GVDD_UV、OTW、OSTD、FAULT同时为1，但是电机能够正常转动。

以上现象都是在同样的PCB板子上的实验。

您好！

 能不能把损坏的DRV8301检查下看看是哪个部分损坏了？

我这边有12V供电的，工作都正常，这个要看一下原理图了。

其他的问题，请把原理图以及程序配置部分贴出来。

各个损坏的片子的情况不一样。一片是SPI的4个管脚与GND短接（拆下芯片后，测量芯片管脚）；

一片是上电后，使能EN_GATE引脚后，nFAULT引脚为低电平，但是与其通信SPI通信引脚的SDO引脚一直为高电平，驱动不了电机；

剩下的几片是上电后nFAULT引脚为低电平，通信都正常，但是初始化配置寄存器后，nFAULT引脚还是为低电平，查看其状态寄存器，告警位为GVDD_UV、PVDD_UV；

目前能够正常工作的芯片，在电源电压低于24V时，8301就不正常工作。

如果是电源电压低时不能正常工作，很有可能是去耦电容不够或者摆放不对，不够靠近PVDD以及半桥顶点。几个逻辑和模拟的低压电源口也要摆放好去耦电容，确保瞬时大电流工作时各个电压的稳定性，尤其是PVDD DVDD 请仔细参考DRV8301 boostpack 的版图设计和电容放置， 还有就是芯片底部焊盘一定要焊接好到地，必要条件，而且手工很难焊接好

您好！

针对于DRV8301的Layout设计，我想咨询一下下面几个问题。

1、请问DRV8301芯片要与半桥的离得很近吗？（我们现在DRV8301和桥电路是分开在两块板子上的，中间用排针连接，板子上走线也较长）；

2、去耦电容是要靠近DRV8301的芯片引脚还是要尽量靠近半桥顶点？

3、去耦电容容值比推荐电路要大，对DRV8301,没有影响吧？

4、使用DRV8301时，PVDD1和PVDD2之间接有一个二极管，不影响DRV8301的使用吧？

1. 这是个比较严重的问题，主要是芯片的电流保护监测是监测mos的Vds，这样会造成很大的寄生干扰信号，尤其是PVDD端，去耦电容放好会改善

2. 最好是DRV8301PVDD有独立的去耦电容，可以参考EVM和boostpack的设计，这个电容不用太大，到10u，再并联小的陶瓷0.1就可以了。每个半桥顶点的去耦电容是靠近半桥顶点放，可以参考DRV8303的EVM，和DRV8301用起来是一样的，不过这个EVM设计根据典型。

3. 没有影响

4. 不影响，一个是给Buck的，一个是给门驱动的

您好！

有一个问题想咨询您一下！如果不使用8301提供的内部运放，那么DRV8301运放的相关管脚该怎么处理，是悬空还是接地？